光電子材料鉭酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程研究.pdf_第1頁(yè)
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1、廣東工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文光電子材料鉭酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程研究姓名：杜宏偉申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：機(jī)械制造及其自動(dòng)化指導(dǎo)教師：魏昕20040601廣東工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTTantalumlithium(LiTa03)，anovelsinglecrystalmaterial，developedandindustrializedwiththedevelopmentofcommunicationandinformatio

2、nindustriesrecently，ownstheexcellentperformancessuchashighMechanicalelectricalcouplingcoefficient，lowerwearresistance，excellenthightemperaturestability，excellentlligh—frequencycapability，etcHowever，researobesontantalumli

3、thiumsinglecrystalwaferaroundworldalestilllackingLiTa03wafersaremachinedUSUSllybychemicalmechnicalpolishinginindustryBasedontheinvestigafionofthemechanicalpropertyoftantalumlithiumcrystalwaferandtheoryanalysisofpolishing

4、movementtracks，thisthesisdiscussesitsmechanismofCMP，presentsitspolishingcharacteristicsandanalyzestheeffectsofpolishingconditionparametersuponCMPTofindouttheeffectiveslurrywithsuitabletypeofoxidizerandconcentration，chemi

5、caletchingexperimentwasappliedtotheIjTa03waferthechemicaletchingeffectswereanalysedbymeasuringetchingrateandXrayspectrumTheexperimentalresultsindicatethatforLiTa03theoxidizersamNaCIOandH202thestabilizatorisKOHandthemosts

6、uitablepHvalueis10ThescratchingtestwascarriedoutwithasinglediamondtooltostudytheremovalmechanismofLiTa03waferbyloadTheAEsignalsweremeasured，andthescratchedsurfacesofLiTa03wafersindifferentconditionswereobservedbymetallog

7、raphymicroscopeTheresultsshowthatthescratchedsurfaceschangefromelasticdeformationarea，plasticdeformationareaandfractureareawithsquamaandcrackForremovingmaterialofLiTa03waferbyplasticdeformationmode，thepolishingpressuresh

8、ouldbelowthan725kP亂ForselectingsuitableCMPconditions，themovementofpolishingwasmodeliingandsimulatingTheanalysedresultsshowthatthereasonablerotatingspeednpanddistanceebetweenworkpieceplatecenterandpolishingplatecenterare6

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