2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路(Integrated Circuit，IC)制造的進(jìn)一步精細(xì)化(到2010年將跨進(jìn)線寬32nm和直徑450mm的時代)，芯片的表面平整度必須達(dá)到亞納米級(<1nm)；另外，為了提高計算機(jī)磁盤的存儲密度，對磁頭和磁盤的表面的粗糙度要求也越來越高(Ra≤0.1nm)，因而，表面的全局平整度要求已成為當(dāng)今電子工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)?；瘜W(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing/Planarization，C

2、MP)憑借其良好的全局平坦化能力已成為日前唯一的最有效加工手段，在實(shí)踐中得到了廣泛地應(yīng)用。對CMP的研究也成為當(dāng)今的熱點(diǎn)問題。 本文主要對CMP加工過程中一種典型的機(jī)械作用接觸模型、即流體動力學(xué)模型進(jìn)行探討。運(yùn)用經(jīng)典碰撞理論、流體動力學(xué)理論和摩擦學(xué)理論對其進(jìn)行相應(yīng)的磨損機(jī)理方面的分析，探討了納米級顆粒在拋光摯和晶片處于非接觸狀態(tài)時的運(yùn)動狀態(tài)，對拋光片表面材料去除的貢獻(xiàn)，以及其運(yùn)動的軌跡；綜合考慮化學(xué)機(jī)械拋光中各因素(如：納米級顆

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