基于負(fù)載牽引系統(tǒng)的LDMOS功放設(shè)計(jì).pdf

1、在移動(dòng)通信的基站、數(shù)字發(fā)射機(jī)以及軍事技術(shù)領(lǐng)域,高效率、高輸出功率、高增益和高線性度的放大器得到了廣泛的應(yīng)用。一般來(lái)說(shuō),在大功率的功放設(shè)計(jì)流程中,用于仿真設(shè)計(jì)的模型是必不可少的。那么,在晶體管的模型無(wú)法獲取的情況下,我們?cè)撛趺慈ピO(shè)計(jì)微波功率放大器?相對(duì)于比較流行的利用晶體管模型設(shè)計(jì)功放,本文利用實(shí)際的負(fù)載牽引系統(tǒng),得到了LDMOS功率管不同阻抗點(diǎn)下的輸出功率,增益,效率特性。在保證晶體管穩(wěn)定性的條件下,利用負(fù)載牽引系統(tǒng)得到的阻抗點(diǎn)進(jìn)行了匹

2、配設(shè)計(jì)。根據(jù)仿真結(jié)果得到了版圖,并根據(jù)設(shè)計(jì)的版圖制作出了功率放大器的實(shí)物圖。
　　本文設(shè)計(jì)了可用于基站的頻率范圍在925-960MHz的大功率、高增益、高效率的射頻功率放大器。設(shè)計(jì)的放大器線性區(qū)增益達(dá)到了20dB,P3dB輸出功率180W, P3dB效率大于60％。測(cè)試了微波功率放大器在WCDMA調(diào)制方式下的線性度,在輸入信號(hào)峰均比7.5dB,平均輸出功率20W的條件下,輸出信號(hào)的 ACPR小于-36dBc。
　　大功率晶體

3、管一般采用陶瓷平面封裝的形式,負(fù)載牽引測(cè)試系統(tǒng)都是同軸接口,為了能夠使用負(fù)載牽引系統(tǒng)測(cè)量大功率管的各種性能參數(shù),需要設(shè)計(jì)專(zhuān)門(mén)的測(cè)試夾具。由于大功率LDMOS晶體管的最優(yōu)輸入和輸出的阻抗點(diǎn)都非常低,因此還需要保證該夾具具有阻抗變換的功能。
　　同樣的電路結(jié)構(gòu),復(fù)制了5塊,進(jìn)行了5路 RF HTOL(High Temperature Operating Life)測(cè)試。該測(cè)試一般用于得到晶體管的MTTF(Mean Time to Fa