軟件中間層設(shè)計及實現(xiàn).pdf

1、信息化高速增長,帶動磁盤理論技術(shù)的進步,磁盤記錄密度保持著約30％平均年增長率。超順磁影響的限制制約著磁盤記錄密度的無限提高,出現(xiàn)在磁盤市場上磁盤中最高磁記錄密度日益接近垂直磁記錄理論極限。為克服或緩解超順磁影響的限制,進一步提高磁盤記錄密度,學術(shù)界提出了許多新型磁記錄技術(shù)。
　　TDMR技術(shù)引入后,瓦記錄存儲技術(shù)通過與二維信號處理相結(jié)合,記錄密度能得到大幅度提高。與其它技術(shù)相比,瓦記錄記錄技術(shù)可以在現(xiàn)有記錄介質(zhì)與磁頭工藝下實現(xiàn),

2、因而受到了廣泛關(guān)注,在瓦記錄存儲技術(shù)高密度的可行性研究方面可知,記錄密度能提高到10TB/in2。然而瓦記錄技術(shù)與傳統(tǒng)技術(shù)讀寫特性不同,讀寫數(shù)據(jù)時會出現(xiàn)道數(shù)據(jù)干擾問題,寫數(shù)據(jù)時不能直接更新,因此在寫性能上,瓦記錄難以達到傳統(tǒng)磁盤的性能。
　　通過對大量讀寫Trace進行分析,一天內(nèi)大部分數(shù)據(jù)都不會改變,小部分數(shù)據(jù)改變影響的空間也非常小,所以可以使用一塊能隨機訪問存儲區(qū)域?qū)@一小部分數(shù)據(jù)進行隨機讀取,然后整體寫回。本文引入了軟件中間