陽極氧化法制備高度有序TiO2納米管(多孔)陣列膜的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩51頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、二氧化鈦具有獨(dú)特的濕敏、氣敏、紫外光吸收、光電轉(zhuǎn)化及光催化性能,在傳感器、介電材料、自清潔材料、有機(jī)-無機(jī)太陽能電池、光催化降解污染物等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。TiO2納米管因其特殊的結(jié)構(gòu)而表現(xiàn)出更優(yōu)異的性能。本論文以“陽極氧化法制備高度有序TiO2納米管(多孔)陣列膜的研究”為題,主要述及以下幾方面的研究工作:
   1.分別在HF水溶液、含NH4F和H2O的乙二醇有機(jī)溶液中對Ti箔進(jìn)行陽極氧化,得到高度有序、分布均勻、垂直取

2、向的TiO2納米管陣列結(jié)構(gòu)。通過陽極氧化工藝條件(如陽極氧化電壓、電解液的選擇與配比以及氧化時(shí)間等)實(shí)現(xiàn)了對其結(jié)構(gòu)參數(shù)(如管徑、管壁厚度、管密度、管長等)的有效控制。利用XRD研究了納米管陣列的物相結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明:通過電解液的選配和退火條件的優(yōu)化可控制TiO2納米管陣列的物相組成及其晶化程度。
   2.在SiO2玻璃襯底上用脈沖激光沉積(PLD)技術(shù),分別沉積Ti和Ti/Al膜,經(jīng)電化學(xué)陽極氧化成功制備了多孔TiO2/SiO2

3、和TiO2/Al/SiO2納米復(fù)合結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)研究了Al過渡層對多孔TiO2薄膜光吸收特性的影響。發(fā)現(xiàn),無Al過渡層的多孔TiO2薄膜其紫外吸收峰在270nm處,且峰強(qiáng)不隨陽極氧化工藝參數(shù)調(diào)節(jié);而有Al過渡層的多孔TiO2薄膜其紫外吸收峰紅移至293nm處,峰強(qiáng)和峰形不僅受陽極氧化電壓調(diào)節(jié)而且受Al過渡層厚度的影響也很敏感。進(jìn)一步分析了多孔TiO2薄膜吸收邊附近的光躍遷特性。
   3.通過分析陽極氧化過程中的電流-時(shí)間曲線,研究

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論