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文檔簡介
1、單晶硅太陽能電池因其原料充足,工藝成熟,效率較高占據(jù)著太陽電池的主要市場(chǎng),但是成本過高卻成為阻礙其發(fā)展的瓶頸,而成本低廉的薄膜太陽能電池效率又過低。利用薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)制備的單晶硅太陽電池,既可以降低制造成本,又能夠保證單晶硅電池的效率,是單晶硅電池的主要發(fā)展方向之一。薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)首先需要獲得具有不同孔隙度的雙層多孔硅。因此本文從降低成本方面考慮,研究在薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)中起關(guān)鍵作用的孔隙度不同的多層多孔硅。本文采用二步陽極氧化法以(100)單晶
2、硅片為襯底制備了雙層多孔硅。研究了電解液濃度、時(shí)間和電流密度對(duì)多孔硅孔徑和孔隙率的變化規(guī)律和對(duì)雙層多孔硅孔徑的影響,分析了退火對(duì)雙層多孔硅結(jié)構(gòu)的影響。得到的主要結(jié)論如下:
1.單層多孔硅的孔徑和孔隙率隨著陽極氧化電流密度的增加和腐蝕時(shí)間的延長而增大,而隨著電解液濃度的增高而減小。
2.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)隨著電解液濃度的降低,形成的雙層多孔硅孔壁變薄,孔徑變大;隨著時(shí)間的推移和電流密度的增加,形成的雙層多孔硅的孔徑在增大。通過S
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