2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、該文主要研究器件三維封裝中貫通孔內(nèi)側(cè)氧化絕緣層的形成.該研究首先在HF:C<,2>H<,5>OH=1:l的溶液里用陽(yáng)極腐蝕的方法制作大約為2μm厚度的多孔硅,制作多孔硅時(shí)采用了不同的電流密度,形成了不同晶粒大小的多孔硅.然后在0.1Mol/l的HCl溶液里20V的恒定電壓下陽(yáng)極氧化前面制作出來(lái)的多孔硅.對(duì)于陽(yáng)極氧化后的樣品,我們采用了掃描電子顯微鏡(SEM)觀測(cè)其截畫、確定其厚度;采用了擊穿電壓測(cè)試電路測(cè)試了擊穿電壓;采用了X射線光電子

2、能譜(XPS)分析了樣品的Si-O結(jié)合.該研究還將陽(yáng)極氧化后的樣品在高溫下退火并與原樣品做了比較;將未陽(yáng)極氧化的樣品熱氧化、將陽(yáng)極氧化后的樣品熱氧化,再將它們與陽(yáng)極氧化后的樣品也做了比較.該研究發(fā)現(xiàn)多孔硅層的硅晶粒大小是獲得優(yōu)質(zhì)電學(xué)性質(zhì)的關(guān)鍵.晶粒大小應(yīng)小到能讓陽(yáng)極氧化進(jìn)行到晶粒的最核心,這樣氧化才會(huì)更充分.該研究最終在室溫下利用多孔硅的陽(yáng)極氧化制作出了擊穿強(qiáng)度為2MV/cm左右的微米厚度的氧化絕緣層,實(shí)現(xiàn)了具有大于100伏擊穿電壓的目

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