磁控濺射帶絕緣層復合結構絲的巨磁阻抗效應研究.pdf

1、本文用磁控濺射的方法制備了Ni80Fe20/Cu和Ni80Fe20/SiO2/Cu復合結構絲,制備過程中為了保證鍍層均勻使銅絲以一定的速率自旋,并通過控制濺射時間來改變各層厚度。研究了Ni80Fe20和SiO2厚度對帶絕緣層復合結構絲的常規(guī)和共振型巨磁阻抗效應（Giant Magnetoimpedance,GMI）的影響以及Ni80Fe20/Cu復合結構絲串聯(lián)或者并聯(lián)電容后的GMI效應。
　　研究內容和主要結果如下:1.制備了系列

2、Ni80Fe20/SiO2/Cu樣品,測量了他們的常規(guī)GMI效應,發(fā)現(xiàn):（1）在銅芯和鐵磁層之間加入適當厚度絕緣層后,樣品的阻抗比會顯著增強,但是絕緣層厚度不合適阻抗比反而會下降。當銅芯直徑60μm,鐵磁層厚度為5.25μm時,對應有一個最佳絕緣層厚度約為5.25μm。（2）復合結構絲的GMI效應與驅動電流幅度有關,存在一個臨界電流值20mA。低于該電流大小,阻抗比隨外加磁場的變化出現(xiàn)峰值,高于該電流阻抗比隨外加磁場單調下降,這與鐵磁層

3、的交流磁化相關。（3）固定絕緣層厚度為3.75μm,發(fā)現(xiàn)當鐵磁層厚度約為2.55μm時樣品具有最佳的軟磁性能,磁場靈敏度達到121％/Oe。2.測量GMI效應時在Ni80Fe20/Cu復合結構絲的兩端串聯(lián)或者并聯(lián)電容,研究其共振型GMI的規(guī)律。
　　對于Ni80Fe20/SiO2/Cu復合結構絲則采用改變測量方式研究其共振型GMI效應,結果如下:（1）給Ni80Fe20/Cu串聯(lián)或者并聯(lián)電容后發(fā)生了共振,共振頻率隨著電容的增大向低