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文檔簡介
1、用直流磁控濺射法制備了超坡莫合金NiFeSiMoMn(20nm~3000nm)單層膜、NiFeSiMoMn(20nm ~200nm)/Cu(50nm)雙層膜和NiFeSiMoMn/CuINiFeSiMoMn三明治膜.通過降低濺射速率和在基底上沉積30nm的Tabuffer(緩沖層),解決了難以濺射生長厚膜的問題,成功制備了厚度3μm的單層膜和每層厚度2.6μm的三明治膜.單層膜隨著厚度的增加呈現(xiàn)非晶態(tài),1000nm 以上為完全非晶態(tài).膜
2、的軟磁性能隨厚度的增加迅速變差,認為是熱應力太大造成的.在基底的橫向施加了800Oe的濺射磁場,提高了膜的各向異性.在真空條件下400℃加15Oe磁場退火1小時后,樣品軟磁性能得到較大改善.制備態(tài)樣品Cu的擴散深度為4.6nm,400℃退火態(tài)樣品Cu的擴散深度超過20nm.Cu的擴散深度呈現(xiàn)隨退火溫度的升高迅速增加的趨勢.制備態(tài)雙層膜比同厚度的單層膜的軟磁性能要好,認為Cu克當buffer層有利于NiFeSiMoMn膜的成膜質量.退火后
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