InI和InF分子電子態(tài)從頭算法研究.pdf

1、單鹵化銦分子對開發(fā)半導(dǎo)體材料、光電材料以及激光介質(zhì)等新型材料起著重要的作用.然而由于它們電子態(tài)結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性以及實(shí)驗(yàn)條件的制約,目前對單鹵化銦分子的實(shí)驗(yàn)研究還存在著許多問題,尤其對于較高的激發(fā)態(tài)缺乏全面詳盡的了解.在理論上,大多數(shù)的研究集中在基態(tài)上,特別是InI和InF兩個分子,目前還沒有對它們激發(fā)態(tài)的理論研究的報道.該論文使用量子化學(xué)從頭計(jì)算方法分別對InI和InF分子的電子態(tài)進(jìn)行研究.主要工作有:1.用單雙激發(fā)耦合簇線性響應(yīng)理論(CC

2、SD-LRT)結(jié)合有效核勢(RECP)對InI分子∧-S電子態(tài)進(jìn)行計(jì)算,得到了包括Rydberg態(tài)在內(nèi)的激發(fā)態(tài),獲得了與實(shí)驗(yàn)值符合較好的光譜常數(shù).對實(shí)驗(yàn)上難以分辨的位于31500cm<'-1>附近的連續(xù)譜帶做了歸屬.2.使用內(nèi)部收縮的多參考單雙激發(fā)組態(tài)相關(guān)加Davidson型修正(ic-MR-CISD+Q)結(jié)合全電子基組對InF分子價電子態(tài)進(jìn)行計(jì)算,并通過自旋軌道耦合(SOC)計(jì)算得到了軌道分裂后的Ω價電子態(tài),獲得了與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)比較接近的