TiO2和ZrO2柔性阻變器件的深紫外光化學(xué)制備及其性能研究.pdf

1、阻變隨機(jī)存儲器（RRAM）具有結(jié)構(gòu)簡單、擦寫速度快、功耗低、集成度髙、與傳統(tǒng)半導(dǎo)體工藝的兼容性好等優(yōu)點(diǎn)，得到人們的廣泛關(guān)注。隨著柔性電子技術(shù)的迅速發(fā)展，對柔性阻變存儲器的研究也引起了人們的重視。因?yàn)榇蠖鄶?shù)柔性基板不能經(jīng)受較高的退火溫度，因此采用低溫加工的方法必將在柔性器件領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。本研究圍繞這一問題展開，采用獨(dú)特的深紫外輻照技術(shù)，對TiO2和ZrO2兩種常用的阻變薄膜的低溫制備及器件性能進(jìn)行了研究。
　　本論文中主要通

2、過改變工藝參數(shù)、彎曲半徑和彎曲次數(shù)對TiO2和ZrO2柔性阻變存儲器的電流-電壓（I-V）曲線、高阻態(tài)和低阻態(tài)的導(dǎo)電機(jī)制、保持特性和循環(huán)特性進(jìn)行了研究。同時，研究了TiO2和ZrO2薄膜的微細(xì)加工以及微細(xì)圖形化柔性阻變存儲器的電學(xué)特性。獲得的結(jié)果如下：
　?。?）150℃，3h的深紫外輻照條件下可以獲得雙極電阻轉(zhuǎn)變的Pt/TiO2/ITO器件，器件的開關(guān)比為103，室溫下的保持時間超過104s，循環(huán)次數(shù)超過600次，器件在低阻態(tài)的

3、導(dǎo)電機(jī)制為歐姆傳導(dǎo)，在高阻態(tài)的導(dǎo)電機(jī)制為空間電荷限制電流（SCLC）效應(yīng)；
　　（2）在150℃下深紫外輻照3h，獲得雙極電阻轉(zhuǎn)變的Pt/TiO2/ITO/PET器件，開關(guān)比為103，不同彎曲半徑和彎曲次數(shù)下器件的保持特性和循環(huán)特性無明顯衰退；
　?。?）150℃下深紫外輻照3h可制備出具有雙極電阻轉(zhuǎn)變特性的Pt/ZrO2/ITO/PET器件，開關(guān)比為105，當(dāng)器件的彎曲半徑為12.55mm時，器件的循環(huán)性能明顯變差；