SmCo5-Cu薄膜的濺射工藝研究.pdf

1、信息產(chǎn)業(yè)與信息技術(shù)的快速發(fā)展要求硬磁盤具有更大的容量和更高的記錄面密度,而硬盤實現(xiàn)更高記錄密度的關(guān)鍵之一是采用更高磁晶各向異性的記錄介質(zhì)。SmCo5薄膜的一個最主要的特點是他作為當(dāng)前發(fā)現(xiàn)的具有最高單軸磁晶各向異性的材料,它的磁晶各向異性常數(shù)高達(dá)1.1-2.0×108erg/cm3,其最小穩(wěn)定顆粒尺寸只有2.4nm,可以有效保持記錄介質(zhì)中微小磁顆粒的熱穩(wěn)定性。采用新型磁存儲技術(shù),SmCo5垂直磁化膜薄膜有希望實現(xiàn)10Tbits/inch2

2、以上的超高記錄面密度。因此,高垂直磁晶各向異性的SmCo5薄膜是未來超高密度磁記錄介質(zhì)的候選材料之一。
　　本文圍繞磁控濺射制備SmCo5/Cu薄膜及濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化開展研究,得到一些有意義的結(jié)果。我們采用射頻磁控濺射在石英玻璃基片上制備了SmCo5薄膜并采用Cu底層來提高SmCo5薄膜的垂直磁性能。我們首先研究了薄膜厚度、后退火溫度對Cu底層微結(jié)構(gòu)與表面形貌的影響并制備了(111)取向良好、表面粗糙度低的Cu底層,發(fā)現(xiàn)Cu底層