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1、由于SmCo薄膜具有非常好的磁性,使其在高密度磁存儲(chǔ)器和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)上具有重要的應(yīng)用前景。本文采用直流電沉積方法,從水溶液中制備了Co及SmCo合金薄膜。其具體的工作如下: 1.采用直流恒壓電沉積法制備了Co單質(zhì)薄膜。通過掃描電鏡(SEM)對(duì)所制備的Co薄膜進(jìn)行了形貌觀測(cè)。觀測(cè)表明,沉積膜表面上的顆粒大小基本均一,顆粒的直徑約為200~300nm;由X射線衍射儀(XRD)檢測(cè)Co沉積膜的結(jié)構(gòu),結(jié)果表明,沉積膜具有六方晶
2、體結(jié)構(gòu)。 2.采用直流恒壓電沉積法制備了Sm-Co合金薄膜。 通過能譜分析儀(EDS)檢測(cè)了沉積膜的成份,檢測(cè)結(jié)果表明:在鍍液中沒有甘氨酸的情況下,沉積膜沉積膜中只有Co的成份;而有甘氨酸存在的情況下,沉積膜中含有Sm、Co的成份,說明,要使Sm離子在Co離子的誘導(dǎo)下發(fā)生了共沉積,必須要有甘氨酸的存在。而且,沉積膜中的成份會(huì)隨電壓的變化而發(fā)生變化,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)電壓較低的時(shí)候,隨著電壓的升高,沉積膜中Sm的含量增加,但
3、是當(dāng)電壓達(dá)到某一值時(shí),沉積膜中Sm的含量,隨著電壓的升高反而會(huì)下降。 利用X射線衍射儀(XRD)檢測(cè)了熱處理前后沉積膜的結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明:沉積膜為非晶態(tài)結(jié)構(gòu),經(jīng)過熱處理后,沉積膜出現(xiàn)了Sm2Co7的六方晶相結(jié)構(gòu)。 通過通過掃描電鏡(SEM)觀察了Cu片基底和磁控濺射Cu基底的表面形貌,觀察的結(jié)果表明:在Cu片上所制備的薄膜和在磁控濺射Cu基底上制備的薄膜在形貌上有很大的不同,這說明,基底對(duì)沉積膜的表面形貌是有影響的。另外,
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