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文檔簡介
1、納米金屬硫?qū)倩衔锞哂歇毺氐幕瘜W(xué)與物理性質(zhì),從而在光催化、傳感器、顯示器電極、太陽能電池、生物檢測、熒光探針和半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前金屬硫?qū)倩衔锛{米材料的研究主要集中在量子點和納米晶領(lǐng)域,而一維或準(zhǔn)一維納米材料具有很多新穎的性質(zhì)而且是理論研究的理想模型。為了深入研究其各種性能,迫切需要一種制備金屬硫?qū)倩衔锛{米纖維和納米帶的方法。靜電紡絲法在制備一維納米材料方面具有簡單易行、重復(fù)性高等優(yōu)點,成為最佳的選擇。
本論
2、文中采用靜電紡絲技術(shù)制備了ZnO、NiO、CdO納米纖維和納米帶,將靜電紡絲技術(shù)與硫化技術(shù)相結(jié)合制備了ZnS、NiS、CdS納米纖維和納米帶。在制得ZnO納米纖維和納米帶的基礎(chǔ)上,首次采用雙坩堝硒化方法制備了ZnSe單分散粒子、納米纖維和納米帶;研究了這些納米材料的光催化活性和電性質(zhì)。
通過XRD、SEM、UV-Vis、寬頻介電松弛譜儀等現(xiàn)代材料測試分析技術(shù),對樣品進行了表征。結(jié)果表明,PVP/Zn,(NO3)2、PVP/Ni
3、(NO3)2和PVP/Cd(NO3)2復(fù)合納米纖維和納米帶在600℃焙燒后得到ZnO、NiO和CdO納米纖維和納米帶。采用CS2將金屬氧化物納米纖維和納米帶在700℃下硫化1h,得到六方相的ZnS、NiS、CdS納米纖維和納米帶。所制得的納米纖維直徑約為60-230nm;納米帶寬度為1.5-4.5μm,厚度為80-390nm。采用雙坩堝硒化方法在700℃下將ZnO納米纖維硒化4h,得到立方相的ZnSe單分散粒子,粒子直徑約為2.3±0.
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