基于動(dòng)態(tài)誤差校正的16位200MSPS電流舵DAC設(shè)計(jì).pdf

1、世界工業(yè)的發(fā)展對(duì)具有高動(dòng)態(tài)性能的高速、高精度DAC需求愈加旺盛。雖然國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體起步平臺(tái)較低，技術(shù)積累較少，但是，隨著科研人員不懈的攻堅(jiān)克難，國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)了一大批優(yōu)秀的高速、高精度DAC設(shè)計(jì)。順應(yīng)時(shí)代和需求之洪流，本文基于40nmCMOS工藝設(shè)計(jì)了一款16位200MSPS的電流舵DAC。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴對(duì)DAC的基本概念、基本架構(gòu)做出了較為詳細(xì)的解釋，分別介紹并對(duì)比了不同架構(gòu)DAC的優(yōu)缺點(diǎn)和其具體應(yīng)用環(huán)境。根據(jù)設(shè)計(jì)的指標(biāo)和當(dāng)

2、前主流高速、高精度DAC的架構(gòu)選擇分段式電流舵作為本文DAC設(shè)計(jì)的基本架構(gòu)。⑵對(duì)影響電流舵DAC動(dòng)、靜態(tài)性能的非理想因素進(jìn)行了深入的研究并找出相對(duì)應(yīng)的校正方案。在研究過程中，結(jié)合參考文獻(xiàn)對(duì)部分非理想因素給予了充分的公式推導(dǎo)證明，對(duì)其校正算法的研究為本次校正算法的選擇提供了較為充實(shí)的理論指導(dǎo)。⑶在研究前述校正算法的同時(shí)提出了一種新的校正算法，該校正算法采用動(dòng)態(tài)誤差檢測(cè)電路對(duì)電流源的動(dòng)態(tài)誤差進(jìn)行檢測(cè)，而后量化并對(duì)其電流源再匹配，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)

3、16位200MSPS分段式電流舵DAC動(dòng)態(tài)性能的提升?；跇?biāo)準(zhǔn)40nm CMOS工藝，結(jié)合該校正算法和16位200MSPS DAC的性能參數(shù)指標(biāo)完成了電流舵 DAC分段方案、電流源基本單元電路、高速低擺幅差分開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、LVDS電路和動(dòng)態(tài)誤差檢測(cè)電路等關(guān)鍵模塊設(shè)計(jì)。⑷基于標(biāo)準(zhǔn)40nm CMOS工藝，完成了電流源基本單元電路、高速低擺幅差分開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路和LVDS電路等關(guān)鍵模塊的版圖設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)16位200MSPS DAC后仿驗(yàn)證。后仿