單粒子脈寬抑制和單粒子測(cè)試方法研究.pdf

1、目錄摘要..........................................................................................................……，....……1ABSTRACT.................................……，........................................................

2、............……2第1章引言...................……，...................……，.......................................................……31.1研究背景............................……，.........................................................……，

3、，.…31.1.1輻射效應(yīng)綜述............................................……，.............................……31.1.2單粒子效應(yīng)機(jī)理..................................................................……，....……51.2研究現(xiàn)狀.........................……，...

4、...........……，..................................……，.…，……61.2.1單粒子機(jī)理的研究......................................................................……，二61.2.2單粒子測(cè)試的研究..............................................................

5、...........……71.3本文工作...................................................................................................……8第2章單粒子效應(yīng)物理建模................……，‘.......................................................……92.1器件模擬

6、原理.....……，...............................................……，.........................……92.1.1器件模型........................................................................................……92.1.2離子軌跡模型.....................

7、..........................................................……102.1.3模擬方法...................……‘...........................................................……122.2工藝校準(zhǔn).........................................................

8、..............................……，...……142.2.1工藝校準(zhǔn)流程..............................................................................……142.2.2工藝校準(zhǔn)結(jié)果.......................……，...............................……，...........……162

9、.3本章小結(jié).................................................................................................……20第3章單粒子脈寬抑制效應(yīng)....................................................................……，..……213.1電荷收集機(jī)理...............

10、..........................……，.........................................……213.1.1電路級(jí)模型...................................................................................……213.1.2器件級(jí)模型.........................……，..……，......

11、..................................……233.1.3電荷共享......................................................................................……253.2脈寬抑制機(jī)理..........................................................................

12、..............……263.2.1NMOS一to一PMOS............................................................................……263.2.2PMOS一to一NMOS...........................................................................……273.2.3NMOS

13、一to一NMOS.................................……，.................................……，2732.4PMOS一to一PMOS.................……，.....……，........................................……283.3脈寬抑制效應(yīng)TCAI〕仿真.……，..............................

14、..............................……293.3.1仿真方法......................................................................................……29摘任石3(隨著工藝尺度的縮減、集成電路復(fù)雜度的增加、電源電壓的降低以及工作頻率的升高，單粒子效應(yīng)已經(jīng)成為影響深亞微米集成電路可靠性的最重要問題之一。本文針對(duì)單粒子效應(yīng)的建模、

15、機(jī)理和測(cè)試方法展開研究。首先，在CMOS130一nm和90一nm體硅工藝下，對(duì)NMOS和PMOS器件進(jìn)行了三維建模，對(duì)離子軌跡進(jìn)行了三維時(shí)空建模。提出了工藝模擬和器件編輯相結(jié)合的工藝校準(zhǔn)方法。其次，提出了NMOS一to一PMOS，PMOS一to一MOS，NMOS一to一NMOS和PMOS一to一PMOS四種脈寬抑制機(jī)理。然后利用三維TCAD仿真對(duì)四種脈寬抑制機(jī)理進(jìn)行了仿真，得到:1)在90納米工藝下，脈寬抑制在PMOS到NMOS、NMO