硅底表面單粒子光散射研究.pdf

1、缺陷及其所帶來(lái)的影響是IC芯片失效的主要原因。因此，在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中迫切需要對(duì)晶圓表面質(zhì)量進(jìn)行嚴(yán)格的檢測(cè)與控制，而激光缺陷檢測(cè)是一種無(wú)損檢測(cè)。為提高激光探測(cè)系統(tǒng)對(duì)晶片上微粒缺陷的檢測(cè)能力，本文建立了表面上粒子散射的數(shù)理模型，通過(guò)對(duì)此模型下的散射理論研究，獲得微分散射截面圖，來(lái)解決表面缺陷診斷系統(tǒng)研究發(fā)展實(shí)施中的關(guān)鍵技術(shù)，從而為工程師設(shè)計(jì)出靈敏而有效的診斷工具提供了有力的幫助。 在粒子的光散射計(jì)算中，由maxwell方程出發(fā)，

2、在邊界條件下，基于矢量波函數(shù)的加法定理，將入射場(chǎng)和散射場(chǎng)用球矢量波函數(shù)展開(kāi)，求得散射場(chǎng)和入射場(chǎng)展開(kāi)式系數(shù)之間的傳輸矩陣-T矩陣。對(duì)T矩陣的計(jì)算，我們引入一種新的方法一微元法來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)計(jì)算所用的擴(kuò)張邊界法。引入超橢球函數(shù)來(lái)摸擬粒子的各種形貌，通過(guò)對(duì)超橢球表面的三角形剖分獲取表面的幾何信息。將幾何信息導(dǎo)入零場(chǎng)方程得到任意粒子的散射的T矩陣。將T矩陣方法應(yīng)用到表面上的粒子的散射問(wèn)題，通過(guò)無(wú)限表面上T操作形式，求出無(wú)限表面的散射特性，并在此基礎(chǔ)