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1、畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)外文翻譯畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)外文翻譯題目(外文):validationtestingofdesignhardeningfsingleeventeffectsusingthe8051microcontroller題目(中文):使用8051單片機(jī)驗(yàn)證和測(cè)試單粒子效應(yīng)的設(shè)計(jì)一、中文摘要及關(guān)鍵詞一、中文摘要及關(guān)鍵詞摘要摘要:隨著專(zhuān)門(mén)抗輻射加固設(shè)計(jì)的制造加工廠的減少,為了加固設(shè)計(jì)使用非專(zhuān)用代工業(yè)務(wù)的新技術(shù)逐步發(fā)展起來(lái)。在這篇論文中,我
2、們將討論單粒子效應(yīng)(SEE)在空間環(huán)境中的驗(yàn)證方法。課題包括需要測(cè)試的類(lèi)型和設(shè)計(jì)范圍(即他們是否需要驗(yàn)證設(shè)計(jì)庫(kù)的每個(gè)應(yīng)用程序?)。最后,根據(jù)美國(guó)航天局的先進(jìn)微電子研究所(IAμE)的CMOS超低功耗輻射容錯(cuò)技術(shù)(CULPRiT)設(shè)計(jì)的8051單片機(jī)核心被評(píng)價(jià)為相當(dāng)于兩個(gè)8051工業(yè)用設(shè)備的單粒子緩和技術(shù)。索引詞索引詞:單粒子效應(yīng),加固設(shè)計(jì),微控制器,輻射效應(yīng)。二、外文摘要及關(guān)鍵詞二、外文摘要及關(guān)鍵詞ABSTRACTABSTRACT:Wi
3、ththedearthofdedicatedradiationhardenedfoundriesnewnoveltechniquesarebeingdevelopedfhardeningdesignsusingnondedicatedfoundryservices.Inthispaperwewilldiscusstheimplicationsofvalidatingthesemethodsfthesingleeventeffects(S
4、EE)inthespaceenvironment.Topicsincludethetypesofteststhatarerequiredthedesigncoverage(i.e.designlibraries:dotheyneedvalidatingfeachapplication).Finallyan8051microcontrollercefromNASAInstituteofAdvancedMicroelectronics(IA
5、μE)CMOSUltraLowPowerRadiationTolerant(CULPRiT)designisevaluatedfSEEmitigativetechniquesagainsttwocommercial8051devices.KEYWDSKEYWDS:SingleEventEffectsHardenedByDesignmicrocontrollerradiationeffects.三、譯文正文三、譯文正文由于性能的不斷提高和
6、功耗的不斷降低,微控制器在美國(guó)航天局和國(guó)防部的系統(tǒng)設(shè)計(jì)上的應(yīng)用正越來(lái)越多?,F(xiàn)在,美國(guó)航天局和國(guó)防部計(jì)劃正在不斷地改進(jìn)固化設(shè)計(jì)。微控制器是一個(gè)這樣的工具,正在深入量化抗輻射固化的改進(jìn)。這些計(jì)劃的實(shí)例是Mission研究公司(MRC)與高級(jí)微電子研究所(這項(xiàng)研究的重點(diǎn))所研制的8051微控制器。在自然空間輻射環(huán)境中,由于這些固化工藝的使用,美國(guó)宇航局在航天飛行中系統(tǒng)中使用驗(yàn)證技術(shù)成為必要。8051單片機(jī)是一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu),被廣泛接受和應(yīng)用,
7、并作為一種開(kāi)發(fā)工具。有許多工業(yè)供應(yīng)商,他們供應(yīng)這種控制器或把這種控制器集成到某種類(lèi)型的系統(tǒng)芯片的結(jié)構(gòu)。醫(yī)學(xué)研究理事會(huì)和高級(jí)微電子研究所都選擇這個(gè)設(shè)備,但他們論證的是兩種截然不同固化設(shè)計(jì)。醫(yī)學(xué)研究理事會(huì)的實(shí)例是使用時(shí)間鎖存,需要具體時(shí)間以確保單粒子效應(yīng)減少到最低限度。高級(jí)微電子研究所采用超低功耗,以及布局和建筑固化設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)原則來(lái)實(shí)現(xiàn)其結(jié)果。這些是與Aeroflex聯(lián)合技術(shù)微電子中心(UTMC)完全不同的方法,抗輻射固化的8051的工業(yè)供
8、應(yīng)商,利用抗輻射固化進(jìn)程研制自己的8051單片機(jī)。4、測(cè)試裝置、測(cè)試裝置這一試驗(yàn)的評(píng)價(jià)使用了三款器件。首先是美國(guó)航天局的設(shè)備,這是進(jìn)行評(píng)估主要設(shè)備。其他兩個(gè)設(shè)備是兩種版本的商業(yè)8051,分別由英特爾公司和美國(guó)達(dá)拉斯半導(dǎo)體制造。英特爾的設(shè)備是無(wú)存儲(chǔ)器型,這是經(jīng)典的8052MCS51單片機(jī)電路版。他們工作環(huán)境是額定電壓5伏,溫度范圍在0至70C,時(shí)鐘頻率為3.5兆赫至24兆赫。他們由英特爾P629.0CHMOSIIIE進(jìn)程制造的。達(dá)拉斯半導(dǎo)
9、體器件都很相似因?yàn)樗麄兌际荝OMless8052單片機(jī),但他們加強(qiáng)方式不同。他們的額定電壓從4.25至5.5溫度在0到70C時(shí)鐘頻率高達(dá)25兆赫。第二次全內(nèi)置串口,增設(shè)七個(gè)中斷,一個(gè)看門(mén)狗定時(shí)器,一個(gè)掉電復(fù)位,雙數(shù)據(jù)指針和變速外設(shè)訪問(wèn)。此外,重新設(shè)計(jì)技術(shù)核心,最終使該機(jī)器周期縮短,從而得到有效的處理能力,這大約是2.5倍(快)比標(biāo)準(zhǔn)的8052器件。不同于器件工作所固有的功能,這些功能沒(méi)有被利用是為了達(dá)拉斯和英特爾的測(cè)試代碼最大限度地相似
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