混合SnS2-PbS量子點(diǎn)的制備及其光電特性研究.pdf

1、近年來(lái)，2D層狀材料因其高遷移率在光電探測(cè)器的應(yīng)用上而備受矚目，但這類(lèi)材料由于其固定的禁帶寬度使其吸光范圍受到限制。而量子點(diǎn)雖然遷移率低，但有高靈敏度、帶隙可調(diào)的優(yōu)勢(shì)。將2D層狀材料與量子點(diǎn)相結(jié)合，將有望制備出高性能、吸光范圍可調(diào)的光電探測(cè)器。本論文中，首先制備了SnS2和PbS量子點(diǎn)，并對(duì)其光探性能進(jìn)行了研究，然后對(duì)混合SnS2-PbS量子點(diǎn)光探進(jìn)行了測(cè)試。具體內(nèi)容如下：
　　(1)采用熱蒸發(fā)法制備 SnS2納米薄膜，并對(duì)其退火

2、工藝進(jìn)行了優(yōu)化，在硫氣氛下，300℃退火3小時(shí)能有效改善SnS2的質(zhì)量，光探響應(yīng)度R為47uA/W,歸一化比探測(cè)率D?為4.6×106Jones；
　　(2)采用一種新方法制備了SnS2納米片，首先熱蒸發(fā)金屬Sn，然后封管硫化，該方法可以大量制備取向各異、大小均勻的SnS2納米片。其光電探測(cè)器的響應(yīng)速度很快，上升和下降時(shí)間在1ms以內(nèi)，響應(yīng)度R為0.33A/W，歸一化比探測(cè)率D?為5.8×109Jones，噪聲超低，大約為6×10

3、-16A/Hz，是目前報(bào)道的文獻(xiàn)中最小的；
　　(3)采用熱注入法，通過(guò)調(diào)控注入溫度合成了不同大小的PbS量子點(diǎn)，還研究了不同濃度TBAI鈍化PbS量子點(diǎn)對(duì)光電導(dǎo)性能的影響，10mg/mL的TBAI處理的PbS量子點(diǎn)所制備的光探，其響應(yīng)度R為121.6uA/W，歸一化比探測(cè)率D?為6.0×107Jones；
　　(4)對(duì)混合SnS2-PbS量子點(diǎn)光電探測(cè)器進(jìn)行測(cè)試，成功拓寬了SnS2的吸收光譜，對(duì)930nm的近紅外光有光響應(yīng)