Ⅱ--Ⅵ族核殼結構半導體量子點的制備及其光電特性和物理機制的研究.pdf

1、浙江工業(yè)大學碩士學位論文浙江工業(yè)大學學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所提交的學位論文是本人在導師的指導下，獨立進行研究工作所取得的研究成果。除文中已經加以標注引用的內容外，本論文不包含其他個人或集體已經發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不含為獲得浙江工業(yè)大學或其它教育機構的學位證書而使用過的材料。對本文的研究作出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明。本人承擔本聲明的法律責任。作一：辜武軍 日刪悔廠月1 7 日學位論文版權使用授權書本學

2、位論文作者完全了解學校有關保留、使用學位論文的規(guī)定，同意學校保留并向國家有關部門或機構送交論文的復印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權浙江工業(yè)大學可以將本學位論文的全部或部分內容編入有關數(shù)據(jù)庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存和匯編本學位論文。本學位論文屬于1 、保密口，在 年解密后適用本授權書。2 、不保密贏( 請在以上相應方框內打“√”)熹主黼 別磁轢陌烘彳日期：為f 悔日期廖o l 譯日日q 1q／．17月月

3、．j廠／、浙江工業(yè)大學碩士學位論文然后，在室溫下測試了C d O 量子點、C d O ／Z n O 核殼結構量子點和Z n O 量子點的紫外一可見光吸收光譜( U V ) 和熒光光譜( P L ) 。在U V譜中，與C d O 單核結構相比，C d O ／Z n O 核殼結構量子點的吸收邊有紅移現(xiàn)象。在P L 譜中，兩者具有相同的峰位，但是C d O ／Z n O 核殼結構量子點的熒光峰強度有所增加，這說明C d O 量子點外包裹上Z

4、n O 后，顆粒表面缺陷被修復了，非輻射能量損失減少，顆粒的熒光量子產率有所提高。通過分析不同生長條件下的C d O ／Z n O 核殼結構量子點的吸收光譜，發(fā)現(xiàn)反應溫度與反應時問對生成的C d O ／Z n O 核殼結構量子點的尺寸分布具有一定影響。分析根據(jù)溶液法制備得到的Z n O 納米顆粒的U V 譜，其吸收較為明顯，表明顆粒尺寸分布較均勻。最后采用旋涂法將制備得到的C d O ／Z n O 核殼結構量子點與Z n O 量子點分別

5、制成量子點功能薄膜，以及按比列混合的混合液的量子點薄膜。通過U V 譜和P L 譜的測量，我們發(fā)現(xiàn)混合液制備成的薄膜的U V譜在Z n O 量子點含量較低時，與C d O ／Z n O 核殼結構量子點制備成的薄膜的U V 譜比較接近，而當Z n O 量子點含量較高時，與Z n O 量子點制備成的薄膜的U V 譜比較接近。從光譜分析來看，我們發(fā)現(xiàn)通過改變其摻雜比份，可實現(xiàn)薄膜能帶的連續(xù)可調，正是這一優(yōu)良的能帶可裁剪調節(jié)特性，使其在光電器件