2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、為了維持聚變堆的高功率穩(wěn)態(tài)運(yùn)行，需要限制芯部雜質(zhì)濃度。對(duì)于高Z材料由于其容易輻射能量的特性，導(dǎo)致其芯部能夠允許的濃度更低。然而由于低Z材料的高腐蝕性以及氚滯留問題，我們不得不考慮使用高Z材料作為面向等離子體材料。對(duì)于高Z面向等離子體材料，W是最好的選擇，因?yàn)樗凶罡叩慕Y(jié)合能，因此更難被腐蝕。
　　另一方面，由于工程限制，需要限制到達(dá)偏濾器的能流，通過在外圍充中等質(zhì)量數(shù)雜質(zhì)粒子(Ne，Ar)進(jìn)入等離子體的方式可以有效的輻射能量，減少

2、到達(dá)偏濾器靶板的能流。然而，這些充入的雜質(zhì)氣體會(huì)進(jìn)一步通過撞擊壁材料的方式濺射出W雜質(zhì)，進(jìn)而影響W離子的芯部濃度。對(duì)于CFETR裝置，已經(jīng)有針對(duì)充雜質(zhì)氣體條件下，僅考慮W靶板濺射的模擬研究，但全鎢壁的模擬研究尚未開展。
　　本文通過SOLPS計(jì)算邊界等離子體背景，再通過DIVIMP計(jì)算鎢雜質(zhì)濃度的方式，基于下單零偏濾器位形，在不同Ne注入率條件下對(duì)全鎢壁CFETR雜質(zhì)腐蝕和輸運(yùn)進(jìn)行模擬研究。為了考察主等離子體室壁濺射的影響，將SO

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