2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、目前，隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的特征尺寸已進(jìn)入超深亞微米的階段，器件也出現(xiàn)了很多新的物理效應(yīng)。以往提取雜質(zhì)濃度的方法已經(jīng)不再適應(yīng)。本文是用了基于CV數(shù)據(jù)的反向模型法來提取超深亞微米MOS器件的二維雜質(zhì)濃度分布的。　　在本文中首先給出了超深亞微米MOS器件的電容模型，然后分析了測(cè)量雜質(zhì)濃度的很多破壞性和非破壞性的方法。討論反向模型法的基本原理及具體的流程。在本文的最后，用基于CV數(shù)據(jù)的反向模型法來提取0.1μm的n溝道Si

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