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文檔簡介
1、隨著紅外技術(shù)的快速發(fā)展,硫化鋅晶體廣泛應(yīng)用于紅外成像、紅外制導、紅外對抗等技術(shù)領(lǐng)域。由于硫化鋅具有軟脆特性,加工過程中容易在工件表面產(chǎn)生劃痕、微裂紋等表面缺陷,從而影響器件的性能和使用壽命。本文采用固結(jié)磨料拋光硫化鋅晶體,研究了硫化鋅晶體的材料去除機理,并對固結(jié)磨料拋光硫化鋅晶體的工藝進行了優(yōu)化。
本研究主要內(nèi)容包括:⑴研究了硫化鋅晶體的材料去除機理,建立了單顆磨粒的切深模型。采用顯微壓痕法測量得到硫化鋅晶體硬度為1.83 G
2、Pa,并利用經(jīng)典的臨界切深公式計算出硫化鋅晶體理論臨界切深ac=1.17μm。采用納米劃痕儀對硫化鋅晶體進行單顆磨??虅潓嶒?,分析得出實際臨界切深ac=211.5 nm,對應(yīng)的臨界載荷為5.69 mN。單顆磨粒切深模型表明,磨粒切入工件深度與磨粒半徑R成正比,與拋光壓力P的2/3次方成正比。⑵開展了固結(jié)磨料拋光墊的優(yōu)化研究。采用單因素實驗法研究了磨粒種類、磨粒粒徑和基體類型對硫化鋅晶體固結(jié)磨料拋光的影響。實驗表明,金剛石磨粒獲得的材料去
3、除率和表面質(zhì)量要優(yōu)于氧化鈰磨粒;粒徑2-4μm的金剛石磨粒獲得的晶體表面質(zhì)量最優(yōu),材料去除率高;A類基體拋光后的晶體表面無明顯劃痕和凹坑缺陷,表面質(zhì)量良好。拋光墊最優(yōu)參數(shù)選擇為:金剛石磨粒、粒徑2-4μm、A類基體。⑶對比研究了酸性拋光液和堿性拋光液對硫化鋅晶體固結(jié)磨料拋光的影響。堿性拋光液獲得的材料去除非常低,遠不如酸性拋光液。檸檬酸拋光液能同時獲得優(yōu)的表面質(zhì)量和高的材料去除率,拋光后的晶體表面光滑,材料去除率為437nm/min,表
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