單晶硅片低溫固結(jié)磨料拋光的溫度場(chǎng)研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩71頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、化學(xué)機(jī)械拋光廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料、光學(xué)玻璃等材料的精密拋光。在低溫冰凍磨具化學(xué)機(jī)械拋光中,冰凍磨具的冰體溫度、融化速度對(duì)加工試樣的表面性能及材料去除率方面有直接的影響。開(kāi)展拋光過(guò)程中溫度場(chǎng)的研究具有十分重要的意義。
   分析了低溫冰凍磨具拋光硅片的傳熱模型,借助有限元軟件ANSYS對(duì)熱傳導(dǎo)過(guò)程進(jìn)行了仿真,分析研究了低溫冰凍磨具在拋光過(guò)程中的三維瞬態(tài)溫度場(chǎng)。建立的有限元模型考慮了強(qiáng)制對(duì)流換熱和輻射換熱,將摩擦生熱簡(jiǎn)化成在工件及磨

2、具上加載熱流密度,采用接觸傳熱的方法實(shí)現(xiàn)了試件及磨具吸收熱量的二次分配。采用多邊形運(yùn)動(dòng)的方式模擬工件的偏心轉(zhuǎn)動(dòng),轉(zhuǎn)換單元屬性的方式解決冰凍磨具的相變問(wèn)題。在有限元分析中,獲得了冰凍磨具在不同拋光時(shí)刻的溫度場(chǎng)等溫圖、溫度時(shí)間變化情況及工作區(qū)域的融化厚度隨時(shí)間變化情況。
   采用實(shí)驗(yàn)方法研究了低溫冰凍磨具溫度、融化厚度隨時(shí)間變化的特點(diǎn),分析了冰體初始溫度、拋光時(shí)間對(duì)磨具溫度及融化速度的影響。對(duì)比了相同條件下實(shí)驗(yàn)與有限元分析結(jié)果,驗(yàn)

3、證了有限元分析模型的有效性。
   采用此參數(shù)化有限元模型,固定了拋光的環(huán)境溫度T2=10℃及低溫磨具初始溫度T1=-10℃,分析了拋光時(shí)間對(duì)溫度場(chǎng)的影響,并且分析了拋光參數(shù)(偏心距、拋光壓力和主軸轉(zhuǎn)速)對(duì)冰凍磨具三維瞬態(tài)溫度場(chǎng)的影響。結(jié)果表明:拋光壓力、偏心距對(duì)磨具的融化速度影響顯著。隨著拋光時(shí)間的延長(zhǎng),磨具的溫升速度變緩,同時(shí)磨具的融化速度加快。分析確定了合理的拋光工藝參數(shù)(偏心距 =20 mm、拋光壓力P=0.075 MP

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論