池州華宇電子科技股份有限公司《高性能mcu芯片封裝測試產(chǎn)業(yè)化項目 環(huán)評報告表

1、1一、建設(shè)項目基本情況 一、建設(shè)項目基本情況項目名稱 項目名稱 高性能 MCU 芯片封裝測試產(chǎn)業(yè)化項目建設(shè)單位 建設(shè)單位 池州華宇電子科技股份有限公司法人代表 法人代表 彭勇 聯(lián)系人 聯(lián)系人 彭勇通訊地址 通訊地址 安徽省池州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳凰路 106 號聯(lián)系電話 聯(lián)系電話 13902942840 傳真 傳真 0566- 2610025 郵政編碼 郵政編碼 247000建設(shè)地點 建設(shè)地點 安徽省池州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳凰路 106 號

2、立項審批部門 立項審批部門池州經(jīng)開區(qū)經(jīng)發(fā)局批準(zhǔn)文號 批準(zhǔn)文號 池開管經(jīng)【2020】183 號建設(shè)性質(zhì) 建設(shè)性質(zhì) 改擴(kuò)建行業(yè)類別及 行業(yè)類別及代碼 代碼C3973 集成電路制造 占地面積 占地面積 43333m2 綠化面積 綠化面積 8360m2總投資 總投資(萬元 萬元) 15000 環(huán)保投資 環(huán)保投資(萬元 萬元) 30 環(huán)保投資占總 環(huán)保投資占總投資比例 投資比例 0.2%評價經(jīng)費(fèi) 評價經(jīng)費(fèi) —— 投產(chǎn)日期 投產(chǎn)日期 2021 年

3、4 月1.項目背景及任務(wù)由來 項目背景及任務(wù)由來1.1 項目背景及由來 項目背景及由來池州華宇電子科技股份有限公司于 2019 年投資 25000 萬元在安徽省池州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳凰路 106 號建設(shè)年產(chǎn) 100 億只高可靠性集成電路芯片先進(jìn)封裝測試產(chǎn)業(yè)化項目，池州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會經(jīng)貿(mào)發(fā)展局對該項目準(zhǔn)予備案，備案文號為池開管經(jīng)[2018]40 號。2019 年 8 月 15 日委托安徽綠洲技術(shù)服務(wù)有限公司開展環(huán)境影響報告表的

4、編制工作，于 2020 年 1 月 21 日池州市生態(tài)環(huán)境局以池環(huán)函【2020】45 號通過審批，并于 2021 年 3 月通過環(huán)保驗收。原環(huán)評擬建設(shè) 10 條高可靠性集成電路芯片先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)線配套建設(shè) 2 條電鍍線，由于產(chǎn)品市場和公司實際要求，現(xiàn)階段建設(shè)了 4 條高可靠性集成電路芯片先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)線和 2 條電鍍線，剩下 6 條高可靠性集成電路芯片先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)線不再建設(shè)；本次項目建設(shè) 1 條高性能 MCU 芯片封裝測試生產(chǎn)線

5、，電鍍工藝依托現(xiàn)有 2 條電鍍線。根據(jù)《中華人民共和國環(huán)境保護(hù)法》、《中華人民共和國環(huán)境影響評價法》3表1-2 項目工程內(nèi)容組成一覽表 項目工程內(nèi)容組成一覽表工程 工程類別 類別 工程名稱 工程名稱 現(xiàn)有工程建設(shè)內(nèi)容和規(guī)模 本次擴(kuò)建工程建設(shè)內(nèi)容和規(guī)模 備注主體工程 1#廠房1F 鋼混結(jié)構(gòu)廠房，已建 4 條高可靠性集成電路芯片先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)線和 2 條電鍍線，主要布置有塑封區(qū)、鍍錫區(qū)、測試區(qū)、粘片區(qū)、鍵合區(qū)，產(chǎn)能為 40 億只/年；建

6、筑面積為18400m2，廠房單層高度8.8m。本次建設(shè) 1 條高性能 MCU 芯片封裝測試生產(chǎn)線，在原有廠房內(nèi)安裝研磨機(jī)、固晶機(jī)、焊線機(jī)、塑封壓機(jī)及其模具、排片機(jī)、激光打標(biāo)機(jī)、測試機(jī)、等離子清洗機(jī)等半導(dǎo)體自動化設(shè)備 258 套進(jìn)行擴(kuò)建。生產(chǎn)廠房依托辦公室 辦公地點位于廠房北部 / 依托動力房 1F 鋼混結(jié)構(gòu)廠房，建筑面積為700m2 / 依托風(fēng)淋室 項目建設(shè) 4 個風(fēng)淋室，單個風(fēng)量 3000m3/h / 依托輔助工程氣站 露天設(shè)置，四周

7、圍擋，南部設(shè)置頂棚 / 依托原輔料倉庫分為原料倉庫和化學(xué)品倉庫，設(shè)置在廠房內(nèi)，其中原料倉庫位于廠房東南角位置，建筑面積分別為 900m2、化學(xué)品倉庫位于鍍錫車間西北角處，建筑面積 40m2/ 依托 儲運(yùn)工程成品倉庫 位于廠房東南角，建筑面積為450m2 / 依托供電系統(tǒng) 利用園區(qū)供電設(shè)施供電 利用園區(qū)供電設(shè)施供電 依托 公用工程 供水系統(tǒng) 利用園區(qū)自來水管網(wǎng)供應(yīng) 利用園區(qū)自來水管網(wǎng)供應(yīng) 依托鍍錫線全線封閉，鍍錫線工藝槽產(chǎn)生酸霧和堿霧收集

8、進(jìn)入堿液噴淋塔處理后滿足《電鍍污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB21900-2008）表 5 中硫酸霧排放限值后通過排氣筒排放。電鍍錫工序依托前期項目建設(shè)的電鍍線。電鍍線依托環(huán)保工程 廢氣治理 塑封過程和激光打標(biāo)過程會產(chǎn)生有機(jī)廢氣，同時激光打標(biāo)過程會產(chǎn)生粉塵廢氣。通過設(shè)備自帶集塵裝置對粉塵廢氣進(jìn)行收集，通過布袋除塵器處理。塑封過程設(shè)備密閉，有機(jī)廢氣經(jīng)負(fù)壓收集后與除塵后的激光塑封過程和激光打標(biāo)過程會產(chǎn)生有機(jī)廢氣，同時激光打標(biāo)過程會產(chǎn)生粉塵廢氣。通過設(shè)