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文檔簡介
1、隨著集成電路(IC)行業(yè)快速發(fā)展,高集成度,高速低功耗已成為未來集成電路發(fā)展的趨勢。高集成度需要更小的半導(dǎo)體工藝尺寸,然而工藝尺寸較小會(huì)引起較大的工藝偏差。為了實(shí)現(xiàn)低功耗的目的,供電電壓也在不斷降低。然而電源電壓不斷降低加重了工藝偏差對(duì)電路的影響。SRAM作為IC中重要的組成部分,這種不斷增大的工藝偏差會(huì)對(duì)SRAM性能造成嚴(yán)重的影響,尤其對(duì)SRAM的工作速度,功耗以及穩(wěn)定性方面影響最為突出。針對(duì)這些工藝偏差帶來的問題,本文從復(fù)制位線以及
2、靈敏放大器的的角度做了一些抗工藝變化的改進(jìn)。本文主要做的研究工作如下:
首先分析了SRAM基本框架結(jié)構(gòu)以及工作原理,然后分析了工藝偏差對(duì)SRAM里面時(shí)序信號(hào)以及靈敏放大器的影響,基于對(duì)兩者的分析,對(duì)已有的幾種常見的時(shí)序控制電路以及靈敏放大器做出分析,并且在SIMC28 nm工藝下對(duì)其結(jié)果進(jìn)行仿真和比較。
針對(duì)工藝變化給SRAM電路帶來的負(fù)面影響,本文從復(fù)制位以及靈敏放大器兩個(gè)方面做了改進(jìn),首先提出了一種帶有觸發(fā)器的流
3、水型復(fù)制位線技術(shù)用于減少工藝變化對(duì)時(shí)序信號(hào)的影響,然后又從靈敏放大器的角度提出了一種自反饋襯底調(diào)節(jié)的抗工藝變化的靈敏放大器電路用于減少工藝偏差對(duì)靈敏放大器失調(diào)電壓的影響。為了驗(yàn)證所提的改進(jìn)型電路的性能,我們對(duì)所提電路進(jìn)行蒙特卡洛仿真,與傳統(tǒng)的復(fù)制位線技術(shù)仿真結(jié)果相比,帶有觸發(fā)器的流水型復(fù)制位線技術(shù)抗工藝偏差減少了81.34%。與傳統(tǒng)統(tǒng)的電壓型靈敏放大器仿真結(jié)果相比,帶有自反饋襯底調(diào)節(jié)的抗工藝變化的靈敏放大器的失調(diào)電壓減少了31.73%。
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