基于安全存儲(chǔ)的抗攻擊關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、隨著信息時(shí)代的到來,海量信息存儲(chǔ)、傳播和交流正在深刻地改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)生活方式。然而,信息技術(shù)在追求高性能、高速度的同時(shí),必須重視國(guó)家信息安全和個(gè)人隱私安全。存儲(chǔ)器作為信息存儲(chǔ)和交流的核心器件,已經(jīng)成為攻擊者竊取信息和分析數(shù)據(jù)的重要來源。因此,如何實(shí)現(xiàn)信息的安全存儲(chǔ)是當(dāng)前國(guó)內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),而且國(guó)內(nèi)自主研究基于安全存儲(chǔ)的抗攻擊技術(shù)能夠?yàn)閲?guó)防安全和軍事建設(shè)提供強(qiáng)有力的保證。
　　在此背景下,本文從介紹攻擊手段入手,主要研究了存儲(chǔ)

2、芯片的抗攻擊技術(shù)和安全防護(hù)方法以及安全存儲(chǔ)系統(tǒng)的低功耗策略。針對(duì)入侵式及半入侵式攻擊,分析其共同特點(diǎn)并提出相應(yīng)的防護(hù)機(jī)制;利用多層陶瓷封裝技術(shù)和柔性印制電路板技術(shù),在封裝體或其內(nèi)部設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)金屬傳感網(wǎng)絡(luò),用于保護(hù)封裝完整性;利用半導(dǎo)體器件的溫度特性和光敏特性,設(shè)計(jì)傳感器芯片,實(shí)時(shí)檢測(cè)存儲(chǔ)芯片所處的環(huán)境變量。此外,在本系統(tǒng)中嵌入微型高溫鋰亞硫酰氯電池并設(shè)計(jì)極低功耗RC振蕩器和基于振蕩器的系統(tǒng)休眠電路,保證了傳感芯片能夠長(zhǎng)期有效工作。由于帶

3、隙基準(zhǔn)源的溫度偏差會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性,論文還介紹了帶有二階溫度補(bǔ)償?shù)幕鶞?zhǔn)電路結(jié)構(gòu)。
　　采用Global Foundry0.18μm1P6M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)并流片,通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,給出了溫度、可見光、封裝完整性的測(cè)試結(jié)果,其中溫度傳感器的溫度系數(shù)為-4.47mV/oC,線性度良好;極低功耗RC振蕩器的頻率為30.74kHz,電流約170nA;系統(tǒng)休眠電路能夠產(chǎn)生占空比為1:4的休眠信號(hào)。在一定溫度范圍內(nèi)(-55℃～125