硅微通道陣列氧化絕緣技術(shù)及應(yīng)力問題研究

1、分類號：U D C ：密級：亙壘五編號：——硅微通道陣列氧化絕緣技術(shù)及應(yīng)力問題研究R e s e a r c h o n I n s u l a t i o n a n d S t r e s si nO x i d a t i o n L a y e r o f S i l i c o nM i c r o c h a n n e l A r r a y學(xué)位授予單位及代碼：量查堡王太堂 ! ! Q ! 墨魚2學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：邀電王

2、堂皇回簽電王堂( Q Z 2 三Q 三)研究方向：盛堡皂王墨鮭皇堇薟 申請學(xué)位級別：亟 ±論文起止時間： 2 0 1 2 ．0 9 - 2 0 1 3 ．1 2摘 要硅微通道在微光夜視，光電倍增管，X ．射線增強(qiáng)器等領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。為了滿足微通道板電子倍增器件的要求，需要使用熱氧化的方法在微通道內(nèi)部產(chǎn)生一層起電絕緣作用的二氧化硅，二氧化硅薄膜層具有高擊穿電壓，可滿足電子倍增器對高壓的要求。所以在氧化過程中要找到合適的參數(shù)值

3、和制備工藝，使得二氧化硅絕緣層的厚度、擊穿電壓滿足要求。本文主要針對在制備二氧化硅薄膜過程中的氧化絕緣和熱應(yīng)力問題進(jìn)行實驗，實驗分別對硅微通道陣列在干氧氧化8 小時和濕氧氧化8 小時，制得的干氧二氧化硅薄膜絕緣層厚度為4 5 8 n m 和制得濕氧二氧化硅薄膜絕緣層厚度為1 ．4um 。并且在4 8 小時濕氧氧化條件下，制的二氧化硅絕緣層擊穿電壓大于1 0 0 0 V 。通過A N S Y S 軟件模擬分析硅微通道陣列上二氧化硅絕緣層應(yīng)