基于0.18μmcmos工藝的10ghz壓控振蕩器的研究與設(shè)計(jì)

1、 分類號 密 級 U D C 學(xué) 號 桂林電子科技大學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 文 題目 題目 基于 0.18-μm CMOS 工藝的 10GHz 壓控振蕩器

2、的研究與設(shè)計(jì) （英文） （英文） Research and Design of 10GHz VCO in 0.18-μm CMOS Process 研 究 生 姓 名: 何芝蘭 指導(dǎo)教師姓名、職務(wù) 指導(dǎo)教師姓名、職務(wù): 段吉海（教授） 申 請 學(xué) 位 門 類: 工學(xué)碩士 學(xué) 科、專 科、專 業(yè): 電路與系統(tǒng) 提 交 論 文

3、 日 期: 2011 年 4 月 論 文 答 辯 日 期: 2011 年 6 月 年 月 日 摘 要 I 摘 要 在 RFIC(radio frequency integrated circuits)領(lǐng)域中，CMOS 工藝因其高集成度、低成本的特點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用，且 CMOS VCO (voltage-controlled oscillator)成為當(dāng)前射頻研究的熱點(diǎn)。 VCO 是現(xiàn)代無線通信領(lǐng)域的重要

4、組成部分， 在很大程度上決定著整個系統(tǒng)的性能?；?SMIC 0.18-μm CMOS 工藝，本文設(shè)計(jì)了一個全集成 RF 環(huán)形 VCO。 文中首先簡要介紹了 VCO 的基本特點(diǎn)和發(fā)展現(xiàn)狀，分析了 VCO 的振蕩原理、典型結(jié)構(gòu)與相噪模型，研究了環(huán)形 VCO 的設(shè)計(jì)重點(diǎn)；然后在經(jīng)典的 RF 環(huán)形 VCO模型的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)闡述了一個三級復(fù)環(huán)路的高速環(huán)形 VCO，該 VCO 的延遲單元采用差分結(jié)構(gòu)，通過粗/細(xì)調(diào)節(jié)方式調(diào)節(jié)電路的頻率和功耗；最后，

5、采用 Cadence的 Spectre-RF 仿真工具對 RF 環(huán)形 VCO 的電路與版圖進(jìn)行了仿真，并對后仿真結(jié)果進(jìn)行詳細(xì)分析。 本文的 RF 環(huán)形 VCO 芯片采用 SMIC 0.18-μm 1P6M CMOS 工藝設(shè)計(jì)，系統(tǒng)電源電壓取 1.8V， 輸出振蕩頻率的調(diào)諧范圍為 7.968~8.472GHz， 直流功耗是 48.5mW；當(dāng)頻率在 8.083GHz 時，在 1MHz 頻偏處的相位噪聲為-88.17dBc/Hz，在 10MH