基于0.18μmcmos工藝的5ghz振蕩器設(shè)計(jì)

1、分類號(hào)密級(jí)UDC編號(hào)桂林電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文題目:基于0.18mCMOS工藝的5GHz振蕩器設(shè)計(jì)(英文)Designof5GHzVCOBasedon0.18mCMOSTechnology研究生姓名：韋杰文指導(dǎo)教師姓名、職務(wù)：段吉海副教授申請(qǐng)學(xué)科門(mén)類：工學(xué)碩士學(xué)科、專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)提交論文日期：2009年4月論文答辯時(shí)間：2009年6月年月日摘要近年來(lái)，隨著通信技術(shù)的飛速發(fā)展，應(yīng)用于5GHz無(wú)線射頻頻段的802.11a標(biāo)準(zhǔn)以

2、其數(shù)據(jù)傳輸速率快、信號(hào)質(zhì)量好、干擾小等優(yōu)點(diǎn)得到了廣泛的應(yīng)用。壓控振蕩器(VCO)可以作為信號(hào)源來(lái)提供精確的參考頻率，是射頻通信系統(tǒng)中非常重要的組成模塊之一，是目前研究的一個(gè)熱點(diǎn)。本文研究了應(yīng)用于802.11a標(biāo)準(zhǔn)的5GHz電感電容壓控振蕩器（LCVCO）芯片的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。首先介紹了壓控振蕩器的原理，對(duì)基于反饋系統(tǒng)和基于負(fù)阻能量補(bǔ)償系統(tǒng)這兩種振蕩器分析方法進(jìn)行了討論比較。然后對(duì)影響振蕩器性能的主要因素――相位噪聲進(jìn)行了分析，研究了線性時(shí)變

3、和線性時(shí)不變兩種噪聲模型。接著對(duì)振蕩器的設(shè)計(jì)優(yōu)化方法進(jìn)行了探討，在綜合了各種約束之后給出了優(yōu)化方法，提出了設(shè)計(jì)的步驟。最后詳細(xì)闡述了如何使用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)5GHz壓控振蕩器的芯片設(shè)計(jì)，其中包括拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選取和具體電感電容的選擇。本文采用0.18mRFCMOS工藝，使用Cadence軟件進(jìn)行電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)、以及參數(shù)提取和后仿真。設(shè)計(jì)了一個(gè)應(yīng)用于IEEE802.11a標(biāo)準(zhǔn)的5GHz壓控振蕩器，頻率變化范圍為4.28GHz～5.6GHz