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1、湖北大學(xué)碩士學(xué)位論文BaSrTiO薄膜的磁增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕工藝研究姓名:全祖賜申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:張柏順20070501同。當(dāng)0 < V B 細(xì)< I .5 3 V 時,J - V 曲線符合歐姆導(dǎo)電機(jī)制。當(dāng)4 .5 9V < V B 蛔< 1 0 .2 V 時,l o g J - l o g V 曲線符合空間電荷限制電流( S C L C ) 模型。當(dāng)l O .7 1 V <
2、; V B h < 2 5V 或- 2 5v < ‰,< - 1 0 .7 1 V 時,刻蝕前和刻蝕后以及刻蝕后再退火的B S T 電容器的漏電流密度主要受B S T /P t 或P t /B S T 界面處肖特基勢壘高度的限制,l n 2 - P 尼或l n 2 - N m 曲線符合肖特基發(fā)射模型。關(guān)鍵詞:B S T 薄膜;M E R L E 工藝;C F 4 /A r /0 2 等離子體;后期退火;等離子體誘導(dǎo)損傷
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