用cmos傳輸門和cmos非門設(shè)計邊沿d觸發(fā)器

1、Wd格式完美整理《數(shù)字電子技術(shù)》研究性學(xué)習(xí)《數(shù)字電子技術(shù)》研究性學(xué)習(xí)用CMOSCMOS傳輸門和傳輸門和CMOSCMOS非門設(shè)計非門設(shè)計邊沿邊沿D觸發(fā)器觸發(fā)器姓名：名：賈嵐婷賈嵐婷學(xué)號：號：1321115313211153班級：級：通信通信13071307指導(dǎo)老師：指導(dǎo)老師：侯建軍侯建軍時間：間：20152015年1212月1日Wd格式完美整理摘要：摘要：本文主要研究了用CMOS傳輸門和CMOS非門設(shè)計邊沿D觸發(fā)器。首先分析CMOS傳輸門

2、和CMOS與非門原理；然后設(shè)計出CMOS傳輸門和CMOS非門設(shè)計邊沿D觸發(fā)器；闡述電路工作原理；寫出特征方程，畫出特征表，激勵表與狀態(tài)圖；計算出激勵信號D的保持時間和時鐘CP的最大頻率；將設(shè)計的D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成JK觸發(fā)器和T觸發(fā)器，最后對CMOS構(gòu)成的D觸發(fā)器進行辨證分析。關(guān)鍵詞：CMOS傳輸門；CMOS非門；邊沿D觸發(fā)器；1.1.結(jié)構(gòu)圖以及功能結(jié)構(gòu)圖以及功能1.11.1CMOSCMOS傳輸門傳輸門圖1傳輸門的結(jié)構(gòu)圖原理：所謂傳輸門（TG

3、）就是一種傳輸模擬信號的模擬開關(guān)。CMOS傳輸門由一個P溝道和一個N溝道增強型MOS管并聯(lián)而成，如上圖所示。設(shè)它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號的變化范圍為0V到5V。為使襯底與漏源極之間的PN結(jié)任何時刻都不致正偏，故T2的襯底接5V電壓，而T1的襯底接地。傳輸門的工作情況如下：當C端接低電壓0V時T1的柵壓即為0V，vI取0V到5V范圍內(nèi)的任意值時，TN均不導(dǎo)通。同時TP的柵壓為5V，TP亦不導(dǎo)通?？梢姡擟端接低電壓時，開關(guān)

4、是斷開的。為使開關(guān)接通，可將C端接高電壓5V。此時T1的柵壓為5V，vI在0V到3V的范圍內(nèi)，TN導(dǎo)通。同時T2的棚壓為5V，vI在2V到5V的范圍內(nèi)T2將導(dǎo)通。由上分析可知，當vI＜3V時，僅有T1導(dǎo)通，而當vI＞3V時，僅有T2導(dǎo)通當vI在2V到3V的范圍內(nèi)，T1和T2兩管均導(dǎo)通。進一步分析還可看到，一管導(dǎo)通的程度愈深，另一管的導(dǎo)通程度則相應(yīng)地減小。換句話說，當一管的導(dǎo)通電阻減小，則另一管的導(dǎo)通電阻就增加。由于兩管系并聯(lián)運行，可近似