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文檔簡介
1、第三章第三章場效應晶體管及其電路分析場效應晶體管及其電路分析題1.3.1絕緣柵場效應管漏極特性曲線如圖題1.3.1（a）~（d）所示。（1）說明圖（a）~（d）曲線對應何種類型的場效應管。（2）根據圖中曲線粗略地估計：開啟電壓VT、夾斷電壓VP和飽和漏極電流IDSS或IDO的數(shù)值。圖題1.3.1解：解：圖(a)：增強型N溝道MOS管，VGS(th)≈3VIDO≈3mA；圖(b)：增強型P溝道MOS管，VGS(th)≈2VIDO≈2mA；
2、圖(c)：耗盡型型P溝道MOS管，VGS(off)≈2VIDSS≈2mA；圖(d)：耗盡型型N溝道MOS管，VGS(off)≈3VIDSS≈3mA。題1.3.2場效應管漏極特性曲線同圖題1.3.1（a）~（d）所示。分別畫出各種管子對應的轉移特性曲線iD=f（vGS）。解：解：在漏極特性上某一VDS下作一直線，該直線與每條輸出特性的交點決定了VGS和ID的大小，逐點作出，連接成曲線，就是管子的轉移特性了，分別如圖1.3.2所示。圖1.3
3、.2題1.3.3圖題1.3.3所示為場效應管的轉移特性曲線。試問：解：解：在VDS=9V處作一垂直線，與各VGS下的輸出特性曲線相交，各交點決定了VGS和ID，從而逐點描繪轉移特性曲線，如圖1.3.5所示。從轉移特性曲線的某一點作切線，可得gm的大小。圖1.3.5題1.3.6由MOS管組成的共源電路如圖題1.3.6所示，其漏極特性曲線同圖題1.3.5。（1）試分析當vI=2V、4V、8V、10V、12V時，該MOS管分別處于什么工作區(qū)。
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