國家標(biāo)準(zhǔn)太陽能級多晶硅

1、1國家標(biāo)準(zhǔn)《太陽能級多晶硅》國家標(biāo)準(zhǔn)《太陽能級多晶硅》（預(yù)審稿）編制說明（預(yù)審稿）編制說明一、工作簡況1、立項目的及意義清潔能源發(fā)展是全世界共同研究的課題，也是我國大力扶持的項目，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的不斷擴(kuò)大，太陽能電池對多晶硅材料需求量猛增，其速度高于電子級多晶硅的發(fā)展。伴隨太陽能電池對高轉(zhuǎn)換率、低衰減率等高品質(zhì)的追求，對原生多晶無論在內(nèi)在性能還是外觀形態(tài)以及包裝形式上上都提出了更細(xì)、更高的要求，現(xiàn)行的《太陽能級多晶硅》已不能完全適應(yīng)光伏產(chǎn)

2、業(yè)鏈各生產(chǎn)環(huán)節(jié)的要求。本標(biāo)準(zhǔn)的修訂將會更好地指導(dǎo)光伏產(chǎn)業(yè)鏈各生產(chǎn)環(huán)節(jié)對多晶硅原料質(zhì)量的控制和要求。事實(shí)上，原生多晶會影響在直拉太陽能單晶棒或生產(chǎn)多晶硅鑄錠的質(zhì)量，進(jìn)而影響硅片質(zhì)量，間接影響太陽能電池的轉(zhuǎn)化率、壽命和發(fā)電成本。大量研究結(jié)果表明，高效率、高品質(zhì)的太陽能電池需要高純的多晶供原料保障，雖然在直拉太陽能單晶棒或生產(chǎn)多晶硅鑄錠時需要摻雜，達(dá)到硅片所需的可控的電學(xué)性能，但金屬雜質(zhì)的對太陽能電池的負(fù)面影響已得到業(yè)內(nèi)的公認(rèn)。隨著多晶硅生產(chǎn)

3、工藝的不斷的改革與創(chuàng)新，技術(shù)發(fā)展與進(jìn)步顯著，目前改良西門子法工藝生產(chǎn)的多晶硅不僅能滿足太陽能電池的要求，部分產(chǎn)品已經(jīng)滿足電子級產(chǎn)品的要求。伴隨多個國家對光伏行業(yè)“雙反”及貿(mào)易壁壘，國內(nèi)多晶價格一路下滑，國內(nèi)光伏市場舉步維艱，國家通過制定《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件》等一系列宏觀措施規(guī)范、推進(jìn)行業(yè)的發(fā)展?！短柲芗壎嗑Ч琛纷鳛橐?guī)定太陽能電池的原材料的重要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其進(jìn)一步的優(yōu)化和提升，首先有效的緩解了行業(yè)內(nèi)及上下游間的質(zhì)量異議，其次對多晶行業(yè)秩序

4、起一定的規(guī)范作用，再次在這個大數(shù)據(jù)的時代，技術(shù)與信息的透明與共享更利于企業(yè)加強(qiáng)管理，推動行業(yè)的進(jìn)步。2、任務(wù)來源根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)委《關(guān)于下達(dá)2014年第二批國家標(biāo)準(zhǔn)修訂計劃的通知》（國標(biāo)委綜合[2014]89號）文件精神，由洛陽中硅高科技有限公司負(fù)責(zé)修訂《太陽能級多晶硅》，由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會負(fù)責(zé)歸口，計劃編號20141898T469，計劃完成時間為2016年。3、編制單位簡況洛陽中硅高科技有限公司[簡稱：中硅高科

5、]成立于2003年，是由中國恩菲工程技術(shù)有限公司、洛陽硅業(yè)集團(tuán)有限公司、偃師金豐投資管理有限公司和中國有色工程有限公司3提出更高的要求，因此太陽能級多晶硅新指標(biāo)的制定為本標(biāo)準(zhǔn)最核心的內(nèi)容。根據(jù)太陽能電池生產(chǎn)的實(shí)際技術(shù)需求，考慮改良西門子法的實(shí)際控制水平，權(quán)衡市場效應(yīng)和經(jīng)濟(jì)利益的影響，以及國際對光伏材料的要求，制定新的技術(shù)要求如下：技術(shù)指標(biāo)（一）項目特極品1級品2級品3級品基磷電阻率，Ωcm≥150≥100≥50≥25基硼電阻率，Ωcm≥

6、1500≥1000≥500≥200氧濃度，atomscm3≤0.21017≤0.51017≤1.01017≤1.01017碳濃度，atomscm3≤2.01016≤2.51016≤3.01016≤4.01016少數(shù)載流子壽命，μs≥300≥200≥100≥50技術(shù)指標(biāo)（二）項目特極品1級品2級品3級品施主雜質(zhì)濃度，109≤0.75≤1.10≤2.3≤4.8受主雜質(zhì)濃度，109≤0.18≤0.26≤0.54≤1.32氧濃度，atomscm

7、3≤0.21017≤0.51017≤1.01017≤1.01017碳濃度，atomscm3≤2.01016≤2.51016≤3.01016≤4.01016少數(shù)載流子壽命，μs≥300≥200≥100≥50基體金屬雜質(zhì)，nggFe、Cr、Ni、Cu、Zn≤20≤50≤100≤100表面金屬雜質(zhì)，ngg，F(xiàn)e、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、Na≤50≤100≤100≤1001)基磷、基硼電阻率及施、受主雜質(zhì)濃度的確定：基磷、基硼電阻率及施、

8、受主雜質(zhì)濃度的確定：1基磷電阻率和基磷電阻率：沿用原標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)則把材料的N型電阻率和P型電阻率的比例定為1:10；大量研究表明，光照條件下，BO復(fù)合體的產(chǎn)生會導(dǎo)致硅單晶電池的早期光致衰減，因此基磷電阻率基本維持未變，基硼電阻率進(jìn)行適當(dāng)提升。2雖然滲透元素磷硼的污染會改變元件的工作點(diǎn)，使器件產(chǎn)生工作錯誤，但是太陽雖然滲透元素磷硼的污染會改變元件的工作點(diǎn)，使器件產(chǎn)生工作錯誤，但是太陽能電池片對施受主雜質(zhì)要求并不高，能電池片對施受主雜質(zhì)要求并不