太陽能電池-濕法刻蝕工藝指導(dǎo)書

1、1設(shè)計文件名稱EdgeIsolation&PSGiveEmitter工藝操作規(guī)程TIS026產(chǎn)品型號名稱156156多晶絨面電池共6頁第1頁1、工藝目的：通過化學(xué)反應(yīng)，將硅片上下表面的PN結(jié)刻斷，以達(dá)到正面與背面絕緣的目的；另外經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)，刻蝕掉未被蠟覆蓋的硅片表面的一定深度，做選擇性發(fā)射極；最后用BDG去除inkjet工序中的噴涂的層蠟，用KOH藥液去除硅片表面的多孔硅；同時用HF去除表面的磷硅玻璃層。2、設(shè)備及工具：EdgeIso

2、lation&PSGiveEmitter、電子天平、PVC手套、口罩、防護(hù)服、防護(hù)眼罩、防護(hù)套袖、橡膠手套、防酸堿膠鞋、GPSolar電阻測試儀（邊緣電阻）、濃度分析儀等。3、適用范圍本工藝適用于EdgeIsolation&PSGiveEmitter。4、職責(zé)本工藝操作規(guī)程由工藝工程師負(fù)責(zé)調(diào)試、修改、解釋。5、材料：合格的多晶硅片（INKJET后）、HF（49%電子級，工作壓力35bar，KOH（49%電子級，工作壓力35bar）、HN

3、O3（65%，電子級，工作壓力35bar），DI水（工作壓力35bar）、壓縮空氣（工作壓力67bar，除油，除水，除粉塵），Butyldiglycol（2一（2一丁氧乙氧基）乙醇）（BDG）（100%，電子級，工作壓力35bar），冷卻水（入水：工作壓力34bar，最大入水溫度25C，出水工作壓力：最大2bar），新鮮空氣（Freshair用于旋轉(zhuǎn)器腔室）（工作壓力100Pa），乙二醇（制冷機(jī)）。6、工藝描述：36.2、工藝原理：Ed

4、geEdgeIsolationIsolation&PSGPSGiveiveEmitterEmitter工藝主要包括三部分：HNO3HF(周邊刻蝕)HNO3HF（刻蝕掉一定深度的未被蠟層覆蓋的PN結(jié)）KOHBDGAntifoam（中和掉多余的酸以及去除硅片表面的的多孔硅和inkjet工序中噴涂的層蠟）HF(去除硅片表面的磷硅玻璃)。本工藝過程中，首先用滾輪將硝酸帶出將滾輪與硅片接觸的背面氧化，形成氧化硅后，然后氫氟酸與氧化硅反應(yīng)生成絡(luò)合物

5、六氟硅酸（H2SiF6），刻斷PN結(jié)，從而使正面與背面絕緣。然后硅片經(jīng)過噴淋HNO3HF的混合藥液，將未被inkjet層蠟覆蓋的深PN結(jié)刻蝕掉一定深度，變成工藝要求的深度；選擇性刻蝕之后經(jīng)過KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，同時用BDG去除掉inkjet工序中噴涂的層蠟；最后利用HF酸將硅片正面的磷硅玻璃層去除；用DI水洗，壓縮空氣烘干硅片表面即可。主要反應(yīng)方程式如下：M2和M4槽：Si4HNO3=SiO24NO2↑2H2OSiO24HF

6、=SiF4↑2H2OSiF42HF=H2SiF6M６槽：暫無：6.3、工藝要求：1、刻蝕槽的刻蝕深度要控制在１.５０.２um，絕緣電阻大于1KΩ。超出此（小于１.１）范圍要通知當(dāng)班技術(shù)員進(jìn)行調(diào)節(jié)，傳送系統(tǒng)的速度范圍控制在0.26.0mmin，正常工作狀態(tài)下的工作速度為1.58mmin，為保證設(shè)備碎片率較穩(wěn)定，應(yīng)盡量使各段傳輸速度一致。當(dāng)工藝穩(wěn)定后每隔兩個小時（有待確定）測量一次刻蝕深度和絕緣電阻。2、當(dāng)刻蝕深度偏離規(guī)定時應(yīng)當(dāng)調(diào)節(jié)溫度或帶