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1、為了環(huán)保,請雙面打?。〉?頁《電磁場與天線A》練習(xí)題參考答案第1~2章矢量分析宏觀電磁現(xiàn)象的基本規(guī)律1.設(shè):直角坐標(biāo)系中,標(biāo)量場的梯度為,則在M(1,1,1)處zxyzxyu???A?=,。A?A?????2.已知矢量場,則在M(1,1,1)處xzexyezyeAzyx?4?)(?2?????A?????。3.根據(jù)亥姆霍茲定理,當(dāng)矢量場的源分布在有限大空間時,若在無限大空間唯一地確定一個該矢量A?場,則必須同時給定該場矢量的及。4.一個
2、矢量場至少有一種源,即不可能既是無源場,又是無旋場。5.在矢量場空間取一有限大閉合曲面S,若對該閉合曲面的通量,則表示該閉合曲面內(nèi)Sd0AS?????A的通量源的數(shù)目代數(shù)和為零。6.寫出線性和各項(xiàng)同性介質(zhì)中場量、、、、所滿足的方程(結(jié)構(gòu)方程):D?E?B?H?J?。7.電流連續(xù)性方程的微分和積分形式分別為和。8.位于真空中的理想導(dǎo)體表面電場強(qiáng)度為,則理想導(dǎo)體表面面電荷密度。0Es??9.設(shè)理想導(dǎo)體的表面A的電場強(qiáng)度為、磁場強(qiáng)度為,則E?
3、B?(A)、皆與A垂直。(B)與A垂直,與A平行。E?B?E?B?(C)與A平行,與A垂直。(D)、皆與A平行。答案【B】E?B?E?B?10.兩種不同的理想介質(zhì)的交界面上,(A)(B)1212EEHH??????1212nnnnEEHH??(C)(D)答案【C】1212ttttEEHH??1212ttnnEEHH??11.設(shè)自由真空區(qū)域電場強(qiáng)度,其中、、為常數(shù)。則空間位移電(Vm))sin(?0βzωtEeEy???0Eωβ流密度(A
4、m2)為:dJ?(A)(B))cos(?0βzωtEey?)cos(?0βzωtωEey?(C)(D)答案【C】)cos(?00βzωtEωey??)cos(?0βzωtβEey?????222xyzeee??09A????A????EJHBED????????????tqSdJS????????tJ????????00E?為了環(huán)保,請雙面打印!第3頁《電磁場與天線A》練習(xí)題參考答案21300(2cossin)(2cossin)(2)s
5、insrrrAJeeeeAR?????????????????????????????ee?第3章靜電場及其邊值問題的解法1.靜電場中電位??與電場強(qiáng)度的關(guān)系為;在兩種不同的電介質(zhì)(介電常數(shù)分別為E?和)的分界面上,電位滿足的邊界條件為。1ε2ε2.設(shè)無限大真空區(qū)域自由電荷體密度為,則靜電場:,=ρE?????E?????????????。3.電位?和電場強(qiáng)度滿足的泊松方程分別為、。E?4.已知靜電場的電位分布,則空間電荷體密度。1()
6、sinsinh22nnnxnyxyEaa???????????5.介電常數(shù)為?的線性、各向同性的媒質(zhì)中的靜電場儲能密度為。6.對于兩種不同電介質(zhì)的分界面,電場強(qiáng)度的切向分量及電位移的法向分量總是連續(xù)的。7.如圖,、分別為兩種電介質(zhì)內(nèi)靜電場在界面上的電場強(qiáng)度,,1E?2E?213???,則????????,。130???2???||||21EE??8.理想導(dǎo)體與電介質(zhì)的界面上,表面自由電荷面密度與電位沿其法向的方s?向?qū)?shù)的關(guān)系為。n??
7、?9.試寫出利用有限差分法求解二維狄利克雷邊值問題時的無源節(jié)點(diǎn)上的差分方程。答案:10.如圖,兩塊位于x=0和x=d處無限大導(dǎo)體平板的電位分別為0、U0,其內(nèi)部充滿體密度的電荷(設(shè)內(nèi)部介電常數(shù)為)。(1)利用直接0(1sin)xd?????0?積分法計(jì)算0xd區(qū)域的電位及電場強(qiáng)度;(2)x=0處導(dǎo)體?E?平板的表面電荷密度。Sol.為一維邊值問題:()x???2020d(1sin)dxdx??????????????邊界條件:,0)0(
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