模擬電路第三章 放大電路的頻率響應(yīng)

1、82第3章放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng)3.1教學(xué)要求1、掌握放大電路頻率特性的復(fù)頻域分析方法；2、掌握放大電路頻率特性參數(shù)的計算方法；3、熟悉BJT的頻率參數(shù)；4、熟悉密勒定理及三種基本組態(tài)放大電路的頻響特性，掌握放大電路幅頻特性和相頻特性漸近波特圖的畫法，了解寬帶放大電路的實現(xiàn)方法；5、熟悉多級放大電路的頻率特性；了解放大電路的瞬態(tài)響應(yīng)特性。3.2基本概念和內(nèi)容要點基本概念和內(nèi)容要點3.2.1表征放大電路頻響的主要參數(shù)和漸近波

2、特圖的表示方法表征放大電路頻響的主要參數(shù)和漸近波特圖的表示方法1、放大電路的主要頻響參數(shù)、放大電路的主要頻響參數(shù)（1）中頻增益AM及相角φM指放大器工作在中頻區(qū)的增益與相位，它們與頻率無關(guān)。（2）上限頻率fH及下限頻率fL它定義為當信號頻率變化時，放大器增益的幅值下降到0.707AM時所對應(yīng)的頻率。當頻率升高時，增益下降到0.707AM時所對應(yīng)的頻率稱為上限頻率fH，即當頻率下降時，增益下降到0.707AM時所對應(yīng)的頻率稱為下限頻率fL

3、，即（3）通頻帶BW它定義為上、下限頻率之差值，即BW=fH－fL（3—3）當fH＞＞fL時，BW≈fH。（4）增益帶寬積GBW它是放大器中頻增益AM與通頻帶BW的乘積，即GBW=│AMBW│（3—4）AMA(fH)=2（3—1）AMA(fL)=2（3—2）841、放大電路在不同頻段內(nèi)的等效電路、放大電路在不同頻段內(nèi)的等效電路若考慮電抗元件的影響，放大器的增益應(yīng)為頻率的復(fù)函數(shù)：A(jω)=A(ω)ejφA(ω)。放大器的頻率特性可分為三

4、個頻段：中頻段、低頻段、高頻段。對不同頻段內(nèi)的放大器進行分析，應(yīng)建立不同的等效電路。（1）中頻段：通頻帶BW以內(nèi)的區(qū)域由于耦合電容及旁路電容的容量較大，在中頻區(qū)呈現(xiàn)的容抗（1ωC）較小，故可視為短路；而三極管的極間電容的容量較小，在中頻區(qū)呈現(xiàn)的容抗較大，故可視為開路。因此，在中頻段范圍內(nèi)，電路中所有電抗的影響均可忽略不計。在中頻段，放大器的增益、相角均為常數(shù)，不隨頻率而變化。在中頻段，放大器的增益、相角均為常數(shù)，不隨頻率而變化。（2）低

5、頻段：f＜fL的區(qū)域在低頻段，隨著頻率的減小，耦合電容及旁路電容的容抗增大，分壓作用明顯，不可再視為短路；而三極管的極間電容呈現(xiàn)的容抗比中頻時更大，仍可視為開路。因此，影響低頻響應(yīng)的主要因素是耦合電容及旁路電容。在低頻段，放大器的增益比中頻時減小并產(chǎn)生附加相移。在低頻段，放大器的增益比中頻時減小并產(chǎn)生附加相移。（3）高頻段：f＞fH的區(qū)域在高頻段，隨著頻率的增大，耦合電容及旁路電容的容抗比中頻時更小，仍可視為短路；而三極管的極間電容呈現(xiàn)

6、的容抗比中頻時減小，分流作用加大，不可再視為開路。因此，影響高頻響應(yīng)的主要因素是晶體管的極間電容。在高頻段，放大器的增益比中頻時減小并產(chǎn)生附加相移。在高頻段，放大器的增益比中頻時減小并產(chǎn)生附加相移。2、RC電路的頻率響應(yīng)電路的頻率響應(yīng)表3.2RC電路的頻率響應(yīng)電路的頻率響應(yīng)低通電路高通電路電路圖頻率響應(yīng)轉(zhuǎn)折頻率上限角頻率下限角頻率幅頻特性相頻特性1Av(jω)=1jωωp1Av(jω)=1－jωpωRvi－vo－CCvi－vo－R－20