已閱讀1頁(yè),還剩1頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、單結(jié)單結(jié)晶體管(雙基極二極管)晶體管(雙基極二極管)rBBIEBIOVEBIIPIVVVIB2PtTypeNo.η(KΩ)(μA)(V)(μA)(mA)(V)(mA)(mW)BT32A3~6B0.30~0.555~12C3~6D0.45~0.755~12E3~6F0.65~0.905~12≤1≤4.5≤2≥1.5≤3.58~35250BT33A3~6B0.30~0.555~12C3~6D0.45~0.755~12E3~6F0.65~0.
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 單結(jié)晶體管
- 單結(jié)晶體管90258
- 單結(jié)晶體管90311
- 單結(jié)晶體管90174
- 單結(jié)晶體管原理
- 單結(jié)晶體管90244
- 單結(jié)晶體管的識(shí)別與檢測(cè)
- 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路(解析)
- 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路[1]
- 實(shí)驗(yàn)一 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路
- SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管的制備與模型驗(yàn)證.pdf
- 鍺硅異質(zhì)結(jié)晶體管的工藝集成設(shè)計(jì).pdf
- 無(wú)結(jié)晶體管閾值電壓模型與新結(jié)構(gòu).pdf
- 氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管電荷控制模型與新結(jié)構(gòu).pdf
- 負(fù)阻異質(zhì)結(jié)晶體管(NDRHBT)的模擬與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管及集成技術(shù)研究.pdf
- 鑄造結(jié)晶體名詞解釋
- 鑄造結(jié)晶體名詞解釋
- SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管研究——一種平面集成多晶發(fā)射極SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管部分工藝因素影響的研究.pdf
- 晶體管簡(jiǎn)介
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論