晶體管基礎

1、晶體管基礎晶體管基礎雙極結(jié)型三極管相當于兩個背靠背的二極管PN結(jié)。正向偏置的EB結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大部分空穴能夠到達集電結(jié)的邊界，并在反向偏置的CB結(jié)勢壘電場的作用下到達集電區(qū)，形成集電極電流IC。在共發(fā)射極晶體管電路中發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置其電壓降很小。絕大部分的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。由于VBE很小，所以基極電流約為IB=5V50kΩ=0.1mA。如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=IC

2、IB=100集電極電流IC=βIB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將出現(xiàn)一個相應的交變電流ic，有cib=β，實現(xiàn)了雙極晶體管的電流放大作用。金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵G電壓VG增大時，p型半導體表面

3、的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在n源區(qū)S和n漏區(qū)D之間形成導電溝道。當VDS≠0時，源漏電極之間有較大的電流IDS流過。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓VT。當VGSVT并取不同數(shù)值時，反型層的導電能力將改變，在相同的VDS下也將產(chǎn)生不同的IDS實現(xiàn)柵源電壓VGS對源漏電流IDS的控制。晶體管的命名方法晶體管的命名方法晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管

4、以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如3AX31，第一位3代表三極管，2代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料；B代表NPN型鍺材料；C為PNP型硅材料；D為NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管；D代表低頻大功率管；G代表高頻小功率管；A代表