mott–schottky(莫特-肖特基)專題

1、【專題專題】MottSchottky】MottSchottky測試及數據處理測試及數據處理作者:jjfyj收錄日期:20101205發(fā)布日期:20101128發(fā)現(xiàn)很多蟲友對Mottschottky技術提問的很多，但基本上沒有明確的答復。我對此技術了解得也很少，本質上來說，Mottschottky屬于固體物理學的知識。由于本人才疏學淺，接觸它也僅僅幾天的時間，因此無法對Mottschottky曲線的分析以及更加高深的部分進行解答，萬望諒解

2、。今就如何在上海辰華CHI660B電化學工作站測試Mottschottky曲線，以及如何進行數據處理，說一下自己的經驗。不當之處祈盼大牛指正，大家共同學習提高。作者：jjfyj1、Mottschottky測試測試技術采用ImpedancePotential，如圖所示：別有初始電位，終止電位，電位增幅，幅值（對應于文獻中的交流擾動信號正弦波交流電信號），頻率等等。首先，需要自己擬定合適的電位區(qū)間，大家可以去查找自己領域的文獻。電位增幅，我

3、選擇的是很低的，覺得這樣測定出來的數據更加準確，就像極化曲線或CV中掃速越小，曲線越精確一樣，不知這樣理解是否正確，留待大牛斧正。幅值，我覺得與EIS是一樣的，一般選擇5mV或10mV，由于Mottschottky一般是來研究半導體型的鈍化膜，10mV為宜。頻率的選擇，我們可以選擇不同的頻率做一系列曲線，如果測試頻率的增加使各曲線電容值減小表明電容對頻率的依賴，Mottschottky曲線隨頻率變化發(fā)生彌散現(xiàn)象（可參考張云蓮，史美倫，陳

4、志源的《鋼筋鈍化膜半導體性能的Mott_Schottky研究》和孔德生，李亮的《電容測量研究鉻表面氧化膜的半導體性能》）至于直流電偏移一項，CHI660B給出的說明是：Whendccurrentishighaccurrentislowthesensitivitycannotbeincreasedbecausedccurrentwilloverflow.Thisproblemismeseriouswhenthefrequencyisrel

5、ativelylow.Byapplyingdccurrentbiasitallowshigheracsignalamplification.A16bitDACisusedfthispurpose.Ifdccurrentisnotexpectedtobelargethefrequencyishighonemaynotwanttobiasdccurrent.大家可以自行判斷。最后一項是靈敏度，說明書給出的解釋是Thesensitivitys

6、calesettingisautomaticbydefault.Duringtheexperimentthesystemteststhecurrentsizedeterminesthepropersensitivityscale.Itusuallywkswell.Thesensitivityscalesettingcanalsobemanuallyoverridden.Incertaincasesitmayprovidebetterre