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1、238第六章第六章基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管■解決方案解決方案從公式（6.8b），得出那么最大寬度空間電荷為或者■評(píng)論評(píng)論空間電荷引起的最大寬度是在數(shù)量級(jí)為pn結(jié)空間電荷寬度相同的順序。演習(xí)問題演習(xí)問題例如例如6.2（a）當(dāng)氧化物對(duì)p型硅交界處T=300K。摻雜的雜質(zhì)濃度的硅Na=31016cm3。計(jì)算硅在空間電荷的最大寬度。（b）重復(fù)的一部分雜質(zhì)濃度（a）Na=1015cm3。我們一直在考慮一p型半導(dǎo)體基板。相同的最高誘導(dǎo)空間

2、電荷區(qū)的寬度發(fā)生在一個(gè)n型襯底。圖6.16是在與一個(gè)n型襯底的閾值電壓能帶圖。可以寫（6.13a）或者（6.13b）然后可以得出（6.14）圖6.17的XdT在T=300K作為硅摻雜濃度的函數(shù)。半導(dǎo)體摻雜可以是n型或p型。測試測試測試測試6.16.1當(dāng)T=300K氧化物到n型硅結(jié)。雜質(zhì)摻雜濃度的硅為Nd=81015cm6.3電位差的MOS電容器2393。計(jì)算硅的空間電荷的最大寬度。圖6.166.16︱能帶圖中的n型半導(dǎo)體在反轉(zhuǎn)點(diǎn)的閾值。