2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩31頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池,5-1單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池的發(fā)展    及其演進(jìn)5-2單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)及其特性5-3單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,2,內(nèi)容大綱,本章節(jié)將討論以及探討的內(nèi)容,主要有三大部分 :?jiǎn)尉岸嗑?yáng)能電池的發(fā)展及其演進(jìn)單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)及其特性單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),126,第五章 單晶矽及多晶矽太

2、陽(yáng)能電池 P,3,5-1-1單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池的發(fā)展及其演進(jìn),兩面受光型太陽(yáng)能電池胞的基本結(jié)構(gòu),是一種n?-p-p? 堆疊而成的構(gòu)造,128,圖5-1 兩面受光型太陽(yáng)能電池胞的基本結(jié)構(gòu)示意圖,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,4,5-1-1單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池的發(fā)展及其演進(jìn),典型的結(jié)構(gòu)以及其外觀尺寸示意圖,129,圖5-2兩面受光型太陽(yáng)能電池模組的基本結(jié)構(gòu),,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,5,5-1-1單晶矽

3、及多晶矽太陽(yáng)能電池的發(fā)展及其演進(jìn),130,圖5-3 兩面受光型太陽(yáng)能電池的輸出特性 (a) 以及發(fā)電特性 (b) 的關(guān)係圖,,,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,6,5-2-1單晶矽太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)及其特性,133,,,,,圖5-4 單晶矽太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu),有一般接合型構(gòu)造、淺接合型構(gòu)造、以及背表面場(chǎng)型構(gòu)造等三種,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,7,5-2-1單晶矽太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)及其特性,134,,,,,圖5-

4、5光電流的產(chǎn)生是由擴(kuò)散電流以及漂移電流等兩種不同物理機(jī)制的電流所組成的,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,8,5-2-2多晶矽太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)及其特性,135,,,,,圖5-6單一接面式的 (a)、雙重接面式的 (b)、以及多重接面式的 (c) 結(jié)構(gòu)示意圖,,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,9,5-2-2多晶矽太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)及其特性,136,,,,,,,在薄膜狀太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)上差異:?jiǎn)我唤用媸降?,如圖5-6(

5、a)所示雙重接面式的,如圖5-6(b)所示多重接面式的或堆疊式的,如圖5-6(c)所示,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,10,5-2-2多晶矽太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)及其特性,139,,,,,,,,圖5-7代表性球狀矽太陽(yáng)能電池的實(shí)體以及用於光學(xué)模擬計(jì)算的解剖體,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,11,5-2-2多晶矽太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)及其特性,139,,,,,,,,圖5-7代表性球狀矽太陽(yáng)能電池的實(shí)體以及用於光學(xué)模擬計(jì)算的

6、解剖體,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,12,5-2-2多晶矽太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)及其特性,141,,,,,,,,圖5-9球狀矽太陽(yáng)能電池在氫鈍化處理之前與之後,其輸出特性以及量子轉(zhuǎn)換效率,,,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,13,5-2-3多晶矽薄膜型太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)及其特性,144,,,,,,,,圖5-11在不同溫度 (a) 以及照射強(qiáng)度 (b) 之下,微結(jié)晶多層接面式堆疊太陽(yáng)能電池的電壓 - 電流特性圖,,,,

7、,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,14,5-2-3多晶矽薄膜型太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)及其特性,144,,,,,,,,圖5-12並列接線以及直列接線等兩種模組配線連接方式,,,,,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,15,5-3-1單晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),145,,,,,,,,圖5-13以規(guī)則性以及週期性進(jìn)行三度空間分布地排列而成的鑽石結(jié)構(gòu),,,,,,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,16,5-3-1單晶矽太陽(yáng)能電池

8、的製程技術(shù),145,,,,,,,,圖5-14非晶矽的、多晶矽的、以及單晶矽的三種不同的結(jié)晶型態(tài),,,,,,,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,17,5-3-1單晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),146,,,,,,,,圖5-15柴可夫斯基長(zhǎng)晶法 (a) 以及浮動(dòng)帶熔融長(zhǎng)晶法 (b),,,,,,,,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,18,5-3-1單晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),147,,,,,,,,圖5-16零度空間型的點(diǎn)缺陷、一度

9、空間型的線缺陷、二度空間型的面缺陷、以及三度空間型的體缺陷,,,,,,,,,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,19,5-3-2多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),150,,,,,,,,,,,,,,,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,20,5-3-2多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),151,,,,,,,,,,,,,,,,,圖5-17冶金級(jí)矽材料的製程流程 - 碳熱還原製程法的示意圖,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,21,5-3-2多

10、晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),152,,,,,,,,,,,,,,,,,碳熱還原製程 (Carbothermic Reduction Process),主反應(yīng)SiO2(s) ? 2C(s) ? Si(l) ? 2CO(g) ? CO2(g)副反應(yīng)Si(l) ? 1/2O2(g) ? SiO(g)SiO(g) ? 1/2O2 ? SiO2(s),第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,22,5-3-2多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),15

11、2,,,,,,,,,,,,,,,,,碳熱還原製程 (Carbothermic Reduction Process),在內(nèi)層高溫?zé)釁^(qū):反應(yīng)溫度在1,900~2,100?C2SiO2(l) ? SiC(s) ? 3SiO(g) ? CO(g)SiO (g) ? SiC(s) ? 2Si(l) ? CO(g)在外層低溫冷區(qū):反應(yīng)溫度小於1900?CSiO(g) ? 2C ? SiC(s) ? CO(g)2SiO(g) ? Si

12、(l) ? SiO2(s),第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,23,5-3-2多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),152,,,,,,,,,,,,,,,,,精煉製程 (Refining Process),其主要的反應(yīng)式如下:3(SiO2) ? 4Al ? 3Si(l) ? 2(Al2O3)SiO2 ? 2Ca ? Si(l) ? 2(CaO)SiO2 ? 2Mg ? Si(l) ? 2(MgO)Si(l) ? O2 ? (SiO2),

13、第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,24,5-3-2多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),153,,,,,,,,,,,,,,,,鑄型壓碎製程 (Casting Scratch Process),,圖5-18西門(mén)子製程法的製作流程示意圖,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,25,5-3-2多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),154,,,,,,,,,,,,,,,,鑄型壓碎製程 (Casting Scratch Process),第一階段化學(xué)反應(yīng)式Si

14、(s)?3HCl?SiHCl3?H2Si(s) ? 4HCl ? SiCl4 ? 2H2SiCl4 ? H2 ? SiHCl3 ? HCl3SiCl4 ? 2H2?Si ? 4SiHCl32SiHCl3 ? SiCl4 ? Si ? 2HCl,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,26,5-3-2多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),154,,,,,,,,,,,,,,,,鑄型壓碎製程 (Casting Scratch Process),第

15、二階段化學(xué)反應(yīng)式2SiHCl3 ? SiH2Cl2 ? SiCl4SiH2Cl2 ? Si ? 2HClHSiCl3 ? H2 ? Si ? 3HClHSiCl3 ? HCl ? SiCl4 ? H2,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,27,5-3-2多晶矽太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),155,,,,,,,,,,,,,,,,,圖5-19聯(lián)合碳化物製程法的製作流程示意圖,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,28,5-3-2多晶矽太

16、陽(yáng)能電池的製程技術(shù),156,,,,,,,,,,,,,,,,,圖5-20乙西爾製程法的製作流程示意圖,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,29,5-3-3多晶矽薄膜型太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),158,,,,,,,,,,,,,,,,,,,圖5-21基板型太陽(yáng)能電池 (a) 以及表板型太陽(yáng)能電池 (b) 的基本結(jié)構(gòu)示意圖,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,30,5-3-3多晶矽薄膜型太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),159,,,,,,,,,,,

17、,,,,,,,,圖5-22基板型太陽(yáng)能電池的製作流程,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,31,5-3-3多晶矽薄膜型太陽(yáng)能電池的製程技術(shù),160,,,,,,,,,,,,,,,,,,,圖5-23就非晶矽、微晶矽或多晶矽、以及單晶矽等薄膜而言,其太陽(yáng)能光譜的吸收特性以及其穿透?jìng)S數(shù),,,第五章 單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池 P,32,5-3-4單晶矽及多晶矽太陽(yáng)能電池的量測(cè)系統(tǒng),162,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,現(xiàn)階段太陽(yáng)能

18、電池的量測(cè)設(shè)備系統(tǒng)種類(lèi):四點(diǎn)探針量測(cè)儀 (Four-Point Probe)非接觸式晶圓片電阻值量測(cè)儀 (Contact-Less Resistivity Tester)非接觸式晶圓片厚度量測(cè)儀 (Contact-Less Thickness Tester)非接觸式晶圓片彎曲度量測(cè)儀 (Contact-Less Warp or Bowl Tester)微波壽命量測(cè)儀 (Microwave Lifetime Tester)輝光

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論