電力電子課程設(shè)計(jì)報(bào)告

1、<p><b>　　1電路的設(shè)計(jì)</b></p><p>　　1.1電路總設(shè)計(jì)框圖</p><p>　　系統(tǒng)原理方框圖如1.1所示：</p><p>　　圖1.1系統(tǒng)原理方框圖

2、 </p><p>　　該電路主要由四部分構(gòu)成，分別為電源，過(guò)電保護(hù)電路，整流電路和觸發(fā)電路構(gòu)成。輸入的信號(hào)經(jīng)變壓器變壓后通過(guò)過(guò)電保護(hù)電路，保證電路出現(xiàn)過(guò)載或短路故障時(shí)，不至于傷害到晶閘管和負(fù)載。在電路中還加了防雷擊的保護(hù)電路。然后將經(jīng)變壓和保護(hù)后的信號(hào)輸入整流電路中。整流電路中的晶閘管在觸發(fā)信號(hào)的作用下動(dòng)作，以發(fā)揮整流電路的整流作

3、用。 1.2主電路原理及說(shuō)明 </p&

4、gt;<p>　　當(dāng)整流電路帶電感性負(fù)載時(shí)，整流工作的物理過(guò)程和電壓、 電流波形都與帶電阻性負(fù)載時(shí)不同。因?yàn)殡姼袑?duì)電流的變化有阻礙作用，即電感元件中的電流不能突變，當(dāng)電流變化時(shí)電感要產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)而阻礙其變化，所以，電路電流的變化總是滯后于電壓的變化，如圖2.2所示。</p><p>　　假設(shè) ，負(fù)載電流連續(xù)，近似為一平直的直線。 </p&

5、gt;<p>　　(1) 輸出電壓平均值和輸出電流平均值</p><p><b>　?。?-1）</b></p><p><b>　?。?-2）</b></p><p>　?。?）晶閘管的電流有效值</p><p><b>　?。?-3）</b></p>

6、;<p>　?。?）輸出電流有效值I和變壓器二次電流有效值</p><p><b>　　（1-4）</b></p><p>　?。?）晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓均為</p><p>　　圖 2.2單相全控橋式整流電路電感性負(fù)載（a)及其波形(b）</p><p>　　(a)電路； (b) 電源電壓

7、； (c) 觸發(fā)脈沖； (d) 輸出電壓；(e) 輸出電流；</p><p>　　(f) 晶閘管VT-1 , VT-4上的電流； (g) 晶閘管VT-2 , VT-3上的電流；(h) 變壓器副邊電流； (i) 晶閘管VT-1 , VT-4上的電壓</p><p>　　2.3觸發(fā)電路原理及分析</p><p>　　晶閘管觸發(fā)主要有移相觸發(fā)、過(guò)零觸發(fā)和脈沖列調(diào)制觸發(fā)等。

8、觸發(fā)電路對(duì)其產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖要求： </p><p>　　①觸發(fā)信號(hào)可為直流、交流或脈沖電壓。</p><p>　?、谟|發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的功率（觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流）。</p><p>　?、塾|發(fā)脈沖應(yīng)有一定的寬度，脈沖的前沿盡可能陡，以使元件在觸發(fā)導(dǎo)通后,陽(yáng)極電流能迅速上升超過(guò)掣住電流而維持導(dǎo)通。</p><p>　?、苡|發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽(yáng)極

9、電壓同步，脈沖移相范圍必須滿足電路要求。</p><p>　　2.3.1單結(jié)晶體管觸發(fā)電路</p><p>　　由單結(jié)晶體管構(gòu)成的觸發(fā)電路具有簡(jiǎn)單、可靠、抗干擾能力強(qiáng)、溫度補(bǔ)償性能好，脈沖前沿徒等優(yōu)點(diǎn)，在容量小的晶閘管裝置中得到了廣泛應(yīng)用。他由自激震蕩、同步電源、移相、脈沖形成等部分組成，電路圖如圖 1.3所示。</p><p>　　圖1.3單結(jié)晶體管觸發(fā)電路圖&l

10、t;/p><p><b>　　其震蕩頻率為： </b></p><p><b>　　(1-5) </b></p><p>　　式中η=0.3～0.9是單結(jié)晶體管的分壓比。即調(diào)節(jié)Re，可調(diào)節(jié)振蕩頻率（其中R=R1=R2=R3=50O歐,Re=0 - 500 歐 ，L=1H,100uF）。</p><p>

11、;<b>　　2.3.2同步電源</b></p><p>　　同步電壓由變壓器TB獲得，而同步變壓器與主電路接至同一電源，故同步電壓于主電壓同相位、同頻率。同步電壓經(jīng)橋式整流、穩(wěn)壓管DZ削波為梯形波UDZ,而削波后的最大值Uz既是同步信號(hào),又是觸發(fā)電路電源.當(dāng)UDZ過(guò)零時(shí),電容C經(jīng)e-b1、R1迅速放電到零電壓.這就是說(shuō),每半周開(kāi)始,電容C都從零開(kāi)始充電,進(jìn)而保證每周期觸發(fā)電路送出第一個(gè)脈沖

12、距離過(guò)零的時(shí)刻(即控制角α)一致,實(shí)現(xiàn)同步.</p><p><b>　　2.3.3移相控制</b></p><p>　　當(dāng)Re增大時(shí)，單結(jié)晶體管發(fā)射極充電到峰點(diǎn)電壓Up的時(shí)間增大，第一個(gè)脈沖出現(xiàn)的時(shí)刻推遲，即控制角α增大，實(shí)現(xiàn)了移相。</p><p><b>　　2.3.4脈沖輸出</b></p><

13、p>　　觸發(fā)脈沖Ug由R1直接取出，這種方法簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)，但觸發(fā)電路與主電路有直接的電聯(lián)系，不安全。對(duì)于晶閘管串聯(lián)接法的全控橋電路無(wú)法工作。所以一般采用脈沖變壓器輸出。</p><p>　　2.4保護(hù)電路原理及分析</p><p>　　在電力電子器件電路中，除了電力電子器件參數(shù)要選擇合適，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)良好外，保護(hù)電路也是必不可少的。</p><p>　　2.4.

14、1主電路的過(guò)電流保護(hù)電路設(shè)計(jì)</p><p>　　電力電子電路運(yùn)行不正?；蛘甙l(fā)生故障時(shí)，可能會(huì)發(fā)生過(guò)電流現(xiàn)象。過(guò)電流分載和短路兩種情況。一般電力電子均同時(shí)采用幾種過(guò)電壓保護(hù)措施，怪提高保護(hù)的可靠性和合理性。在選擇各種保護(hù)措施時(shí)應(yīng)注意相互協(xié)調(diào)。通常，電子電路作為第一保護(hù)措施，快速熔斷器只作為短路時(shí)的部分區(qū)斷的保護(hù)，直流快速斷路器在電子電力動(dòng)作之后實(shí)現(xiàn)保護(hù)，過(guò)電流繼電器在過(guò)載時(shí)動(dòng)作。</p><p

15、>　　在選擇快熔時(shí)應(yīng)考慮：</p><p>　　1、電壓等級(jí)應(yīng)根據(jù)快熔熔斷后實(shí)際承受的電壓來(lái)確定。</p><p>　　2、電流容量應(yīng)按照其在主電路中的接入方式和主電路連接形式確定。快熔一般與電力半導(dǎo)體體器件串聯(lián)連接，在小容量裝置中也可串接于閥側(cè)交流母線或直流母線中。</p><p>　　3、快熔的值應(yīng)小于被保護(hù)器件的允許值。</p><p

16、>　　4、為保證熔體在正常過(guò)載情況下不熔化，應(yīng)考慮其時(shí)間電流特性。</p><p>　　快熔對(duì)器件的保護(hù)方式分為全保護(hù)和短保護(hù)兩種。全保護(hù)是指無(wú)論過(guò)載還是短路均由快熔進(jìn)行保護(hù)，此方式只適用于小功率裝置或器件使用裕量較大的場(chǎng)合。短路保護(hù)方式是指快熔只要短路電流較大的區(qū)域內(nèi)起保護(hù)作用，此方式需與其他過(guò)電流保護(hù)措施相配合。</p><p>　　熔斷器是最簡(jiǎn)單的過(guò)電流保護(hù)元件，但最普通的熔斷

17、器由于熔斷特性不合適，很可能在晶閘管燒壞后熔斷器還沒(méi)有熔斷，快速熔斷器有較好的快速熔斷特性，一旦發(fā)生過(guò)電流可及時(shí)熔斷起到保護(hù)作用。最好的辦法是晶閘管元件上直接串快熔，因流過(guò)快熔電流和晶閘管的電流相同，所以對(duì)元件的保護(hù)作用最好。</p><p>　　2.4.2電流上升率、電壓上升率的抑制保護(hù)</p><p>　　1.電流上升率di/dt的抑制</p><p>　　晶閘

18、管初開(kāi)通時(shí)電流集中在靠近門(mén)極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以0.1mm/μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面，若晶閘管開(kāi)通時(shí)電流上升率di/dt過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在晶閘管的陽(yáng)極回路串聯(lián)入電感。如下圖1.4所示:</p><p>　　圖1.4串聯(lián)電感抑制回路</p><p>　　2.電壓上升率dv/dt的抑制<

19、;/p><p>　　加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過(guò)大，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴(yán)重時(shí)引起晶閘管誤導(dǎo)通。為抑制dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路。如圖1.5所示：</p><p>　　圖1.5并聯(lián)R-C阻容吸收回路</p><p>

20、　　2電路參數(shù)計(jì)算及器件的選取</p><p>　　2.1晶閘管的主要參數(shù)說(shuō)明：</p><p><b>　　1、額定電壓</b></p><p>　　通常取和中較小的，再取靠近標(biāo)準(zhǔn)的電壓等級(jí)作為晶閘管型的額定電壓。在選用管子時(shí)，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2～3倍，以保證電路的工作安全。</p><p>　　晶閘管的

21、額定電壓 :</p><p><b>　　(2-1)</b></p><p><b>　　(2-2)</b></p><p>　　：工作電路中加在管子上的最大瞬時(shí)電壓 </p><p>　　整流輸出電壓平均值：</p><p><b>　　(2-3)</b&

22、gt;</p><p><b>　　2、額定電流 </b></p><p>　　又稱(chēng)為額定通態(tài)平均電流。其定義是在室溫40°和規(guī)定的冷卻條件下，元件在電阻性負(fù)載流過(guò)正弦半波、導(dǎo)通角不小于170°的電路中，結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)，所允許的最大通態(tài)平均電流值。將此電流按晶閘管標(biāo)準(zhǔn)電流取相近的電流等級(jí)即為晶閘管的額定電流。</p><p

23、>　　：額定電流有效值，根據(jù)管子的換算出</p><p>　　、與 三者之間的關(guān)系：</p><p><b>　　(2-4)</b></p><p><b>　　(2-5)</b></p><p><b>　　3、 維持電流 </b></p><p&

24、gt;　　維持電流是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流，一般為幾十到幾百毫安。維持電流與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，維持電流越小，晶閘管越難關(guān)斷。</p><p><b>　　4、掣住電流 </b></p><p>　　晶閘管剛從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)并撤除門(mén)極觸發(fā)信號(hào)，此時(shí)要維持元件</p><p>　　導(dǎo)通所需的最小陽(yáng)極電流稱(chēng)為掣住電流。一般掣住電流

25、比維持電流大（2～4）倍。</p><p>　　5、通態(tài)平均管壓降 </p><p>　　指在規(guī)定的工作溫度條件下，使晶閘管導(dǎo)通的正弦波半個(gè)周期內(nèi)陽(yáng)極與陰極電壓的平均值，一般在0.4～1.2V。 </p><p>　　6、斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt</p><p>　　在額定結(jié)溫和門(mén)極開(kāi)路的情況下，不會(huì)導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的最大正

26、向電壓上升率，一般為每微秒幾十伏。</p><p>　　7、通態(tài)電流臨界上升率di/dt</p><p>　　在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的最大通態(tài)電流上升率。若晶閘管導(dǎo)通時(shí)電流上升太快，則會(huì)在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)，有很大的電流集中在門(mén)極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過(guò)熱而損壞晶閘管。</p><p><b>　　8、波形系數(shù)</b></p>

27、<p>　　有直流分量的電流波形，其有效值與平均值之比稱(chēng)為該波形的波形系數(shù)，用表示：</p><p><b>　　(2-6) </b></p><p>　　額定狀態(tài)下， 晶閘管的電流波形系數(shù)</p><p><b>　　(2-7)</b></p><p><b>　　2.2晶

28、閘管的選型</b></p><p>　　該電路負(fù)載若為，電流波形可看作連續(xù)且平直的。</p><p>　　時(shí)，不計(jì)控制角余量按計(jì)算；</p><p><b>　　由 得：</b></p><p>　　晶閘管承受的最大反向電壓為 ： </p><p><b>　　考慮2-3倍

29、裕量：</b></p><p>　　故晶閘管的額定電壓取400V。</p><p><b>　　晶閘管的選擇原則：</b></p><p>　?、瘛⑺x晶閘管電流有效值大于元件在電路中可能流過(guò)的最大電流有效值。</p><p>　?、颉?選擇時(shí)考慮（1.5～2）倍的安全余量。即</p><

30、p>　　整流輸出平均電流為：</p><p>　　變壓器二次側(cè)電流有效值：</p><p>　　每個(gè)晶閘管的電流有效值為：</p><p><b>　　晶閘管額定電流：</b></p><p>　　考慮2倍裕量：取5A</p><p>　　而國(guó)產(chǎn)晶閘管的型號(hào)命名主要由四部分組成，各部分的含義

31、如表2-1 所示。</p><p>　　表2-1國(guó)產(chǎn)晶閘管型號(hào)命名組成表</p><p>　　第一部分用字母“K”表示主稱(chēng)為晶閘管。   第二部分用字母表示晶閘管的類(lèi)別。   第三部分用數(shù)字表示晶閘管的額定通態(tài)電流值。   第四部分用數(shù)字表示重復(fù)峰值電壓級(jí)數(shù)。</p><p&

32、gt;　　所以在本次設(shè)計(jì)中我選用4個(gè)KP5-4的晶閘管。</p><p><b>　　輸出功率</b></p><p><b>　　2.3變壓器的選取</b></p><p>　　根據(jù)參數(shù)計(jì)算可知:變壓器應(yīng)選變比為，</p><p>　　不考慮變壓器的損耗時(shí)，要求變壓器的容量為</p>

33、<p><b>　　所以容量至少為。</b></p><p><b>　　3系統(tǒng)仿真</b></p><p>　　3.1 SIMULINK仿真工具簡(jiǎn)介</p><p>　　SIMULINK是Mathworks公司開(kāi)發(fā)的MATLAB仿真工具之一,其主要功能是實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)系統(tǒng)建模﹑仿真與分析. SIMULINK支持線性

34、系統(tǒng)仿真和非線性系統(tǒng)仿真;可以進(jìn)行連續(xù)系統(tǒng)仿真,也可以進(jìn)行離散系統(tǒng)仿真,或者兩者混合的系統(tǒng)仿真;同時(shí)也支持具有多種采樣速率的采樣系統(tǒng)仿真.利用SIMULINK對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行仿真與分析,可以對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行適當(dāng)?shù)膶?shí)時(shí)修正或者按照仿真的最佳效果來(lái)調(diào)試及確定控制系統(tǒng)的參數(shù),以提高系統(tǒng)的性能,減少設(shè)計(jì)系統(tǒng)過(guò)程中反復(fù)修改時(shí)間,從而實(shí)現(xiàn)高效率地開(kāi)發(fā)實(shí)際系統(tǒng)的目標(biāo).</p><p>　　SIMULINK最早出現(xiàn)在MATLAB4.0版的核

35、心執(zhí)行文件中.在MATLAB4.2版以后, SIMULINK則以MATLAB的工具包形式出現(xiàn),需要單獨(dú)安裝.在MATLAB5.0版中, SIMULINK為2.0版,在MATLAB5.3版中, SIMULINK升級(jí)為3.0版,而在MATLAB6.1版中, SIMULINK則升級(jí)為4.1版.本書(shū)只對(duì)SIMULINK4.1版進(jìn)行介紹.</p><p>　　SIMULINK4.1版是用來(lái)建模﹑分析和仿真各種動(dòng)態(tài)系統(tǒng)的交互

36、環(huán)境,包括連續(xù)系統(tǒng)﹑離散系統(tǒng)和混雜系統(tǒng). SIMULINK提供了采用鼠標(biāo)拖動(dòng)的方法建立系統(tǒng)框圖模型的圖形交互界面.</p><p>　　SIMULINK提供了大量的功能模塊以方便擁護(hù)快速地建立系統(tǒng)模型. 建模時(shí)只需要使用鼠標(biāo)拖動(dòng)庫(kù)中的功能模塊并將它們連接起來(lái).使用者可以通過(guò)將模塊組成字子系統(tǒng)來(lái)建立多級(jí)模型. SIMULINK對(duì)模塊和連接的數(shù)目沒(méi)有限制. SIMULINK還支持Stateflow,用來(lái)仿真事件驅(qū)動(dòng)過(guò)

37、程.</p><p>　　SIMULINK框圖提供了交互性很強(qiáng)的非線性仿真環(huán)境,可以通過(guò)下拉菜單執(zhí)行仿真,或使用命令進(jìn)行批處理.仿真結(jié)果可以在運(yùn)行的同時(shí)通過(guò)示波器或圖形窗口顯示.</p><p>　　SIMULINK的開(kāi)放式結(jié)構(gòu)允許用戶擴(kuò)展仿真環(huán)境的功能.如用MATLAB﹑FORTRAN和C代碼生成自定義塊庫(kù),并擁有自己的圖標(biāo)和界面,或者將用戶原來(lái)由FORTRAN或C語(yǔ)言編寫(xiě)的代碼連接起來(lái)

38、.</p><p>　　由于SIMULINK可以直接利用MATLAB的數(shù)學(xué)﹑圖形和編程功能,用戶可以直接在SIMULINK下完成數(shù)據(jù)分析﹑優(yōu)化參數(shù)等工作.工具箱提供的高級(jí)的設(shè)計(jì)和分析能力可以通過(guò)SIMULINK的屏蔽手段在仿真過(guò)程中執(zhí)行. SIMULINK的模型庫(kù)可以通過(guò)專(zhuān)用元件集進(jìn)一步擴(kuò)展。</p><p>　　3.2仿真模型的建立與參數(shù)的設(shè)定</p><p>　

39、　3.2.1仿真模型的建立</p><p>　?。?）啟動(dòng)MATLAB，進(jìn)入SIMULINK后，點(diǎn)擊File/New/Model新建一個(gè)仿真平臺(tái)。這時(shí)我們可以在上一步Simulink環(huán)境中拉我們所需的元件到Model平臺(tái)中，具體做法是點(diǎn)擊左邊的器件分類(lèi)，這里我們一般只用到Simulink跟SimPowerSystems兩個(gè)，分別在他們的下拉選項(xiàng)中找到我們所需的器件，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)擊所需的元件不放，然后直接拉到Mod

40、el平臺(tái)中。然后根據(jù)原理圖繪制單相橋式全控整流電路模型，如圖3.1所示。</p><p>　　圖3.1 仿真模型圖</p><p>　　3.2.2設(shè)置各模塊參數(shù)</p><p>　　雙擊各模塊，在出現(xiàn)的對(duì)話框內(nèi)設(shè)置模塊參數(shù)。</p><p><b>　?。?）電源參數(shù)設(shè)置</b></p><p>

41、;　　交流電源參數(shù)設(shè)置：電壓設(shè)置為，頻率設(shè)為50Hz，其它默認(rèn)。如圖3.2所示。</p><p>　　圖3.2 電源參數(shù)圖 </p><p><b>　?。?）示波器的設(shè)置</b></p><p>　　雙擊示波器，彈出示波器面板，在第一排控件欄中單擊第二個(gè)控件，彈出參數(shù)設(shè)置窗口，如圖3.4所示。</p><p>　　圖

42、3.4示波器的參數(shù)圖</p><p>　　只要在Number of axes 項(xiàng)中把1改成所需要增加的端子數(shù)字就可以，這里我們用到七個(gè)端子，我們把它改成7就可以了。在Time range中設(shè)置一個(gè)數(shù)值，也即顯示時(shí)間，所設(shè)置的時(shí)橫坐標(biāo)，就是我們的的仿真時(shí)間。</p><p><b>　?。?）脈沖參數(shù)設(shè)置</b></p><p>　　圖3.3 第

43、一脈沖信號(hào)源參數(shù)圖</p><p>　　圖3.4第二脈沖信號(hào)源參數(shù)圖</p><p>　　如圖3.3所示，將振幅（amplitude）設(shè)為5。周期（Period）設(shè)為0.02秒。脈沖寬度（pulse width）設(shè)為2。相位延遲角（phase delay），即觸發(fā)角。它的設(shè)置在調(diào)試時(shí)需要修改，以實(shí)現(xiàn)在不同角度觸發(fā)時(shí)，觀測(cè)電路各變量的波形的變化。因?yàn)樗且悦霝閱挝?，故需把角度換算成秒。其計(jì)算

44、可按以下公式：</p><p><b>　?。?-1）</b></p><p>　　例如觸發(fā)角α＝30度，周期T＝0.02，則t=0.0017，則此空中應(yīng)填入0.0017。</p><p>　　第二個(gè)觸發(fā)器的設(shè)置只需觸發(fā)角比第一個(gè)大180度，即加上0.01，其它不變，如圖</p><p><b>　　3.4所示

45、。</b></p><p>　　(4)阻感負(fù)載參數(shù)設(shè)置</p><p>　　圖3.5 阻感負(fù)載參數(shù)圖</p><p>　　如圖3.5所示，設(shè)置電阻為，電感為，電容為。</p><p>　?。?）時(shí)間與算法參數(shù)設(shè)置</p><p>　　圖3.6 時(shí)間與算法參數(shù)圖</p><p>　　如

46、圖3.6所示，設(shè)置仿真的終止時(shí)間為0.1S，算法ode23tb，其它值默認(rèn)。</p><p>　　3.3仿真波形與分析</p><p>　　3.3.1觀察仿真波形</p><p>　　在參數(shù)設(shè)置完畢后既可以開(kāi)始仿真。點(diǎn)擊運(yùn)行按鈕“”開(kāi)始仿真。在屏幕下方的狀態(tài)欄上可以看到仿真的進(jìn)程。若要中途停止仿真可以點(diǎn)擊“■”按鈕。在仿真完畢之后既可以通過(guò)雙擊示波器來(lái)觀察仿真的結(jié)果

47、。本例中我們?cè)O(shè)置仿真的終止時(shí)間為0.1S，算法ode23tb.通過(guò)仿真，我們給出幾個(gè)特殊角度的波形圖。</p><p>　　1.觸發(fā)角α=30度</p><p>　　觸發(fā)角α＝30度，周期T＝0.02，則t=0.0017，則在相位延遲角（phase delay）中應(yīng)填入0.0017。第二個(gè)觸發(fā)器的設(shè)置只需觸發(fā)角比第一個(gè)大180度，即加上0.01，其它不變。波形如圖3.7所示。</p&

48、gt;<p>　　圖3.7觸發(fā)角α=30度的仿真波形圖</p><p>　　2.觸發(fā)角α=45度</p><p>　　觸發(fā)角α＝45度，周期T＝0.02，則t=0.0025，則在相位延遲角（phase delay）中應(yīng)填入0.0025。第二個(gè)觸發(fā)器的設(shè)置只需觸發(fā)角比第一個(gè)大180度，即加上0.01，其它不變。波形如圖3.8所示。</p><p>　　圖

49、3.8觸發(fā)角α=45度的仿真波形圖</p><p>　　3.觸發(fā)角α=60度：</p><p>　　觸發(fā)角α＝60度，周期T＝0.02，則t=0.0034，則在相位延遲角中應(yīng)填入0.0034。第二個(gè)觸發(fā)器的設(shè)置只需觸發(fā)角比第一個(gè)大180度，即加上0.01，其它不變。</p><p>　　圖3.9 觸發(fā)角α=60度的仿真波形圖</p><p>

50、　　3.3.2仿真結(jié)果分析</p><p><b>　　設(shè)計(jì)總結(jié)</b></p><p>　　通過(guò)單相全控橋式整流電路的設(shè)計(jì)，使我加深了對(duì)整流電路的理解，讓我對(duì)電力電子該課程產(chǎn)生了濃烈的興趣。</p><p>　　整流電路的設(shè)計(jì)方法多種多樣，且根據(jù)負(fù)載的不同，又可以設(shè)計(jì)出很多不同的電路。其中單相全控橋式整流電路其負(fù)載我們用的多的主要是電阻型、帶

51、大電感型，接反電動(dòng)勢(shì)型。它們各自有自己的優(yōu)點(diǎn)。</p><p>　　對(duì)于一個(gè)電路的設(shè)計(jì)，首先應(yīng)該對(duì)它的理論知識(shí)很了解，這樣才能設(shè)計(jì)出性能好的電路。整流電路中，開(kāi)關(guān)器件的選擇和觸發(fā)電路的選擇是最關(guān)鍵的，開(kāi)關(guān)器件和觸發(fā)電路選擇的好，對(duì)整流電路的性能指標(biāo)影響很大。</p><p>　　在這次課程設(shè)計(jì)過(guò)程中，碰到的難題就是觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)。因?yàn)橛|發(fā)電路比較復(fù)雜，因此要選擇一個(gè)適合本課題的觸發(fā)電路就比

52、較難。后來(lái)經(jīng)老師，還有同學(xué)的幫助，選擇了一個(gè)較好的觸發(fā)電路。</p><p>　　這次的課程設(shè)計(jì)是我收獲最大的一次，雖然中途遇到了不少困難，但還是被我逐步解決了。每次做課程設(shè)計(jì)我都感覺(jué)比較棘手，因?yàn)樗粏问且竽銌渭兊赝瓿梢粋€(gè)題目，而是要求你對(duì)所學(xué)的知識(shí)都要弄懂，并且能將其貫穿起來(lái)，是綜合性比較強(qiáng)的，盡管如此，我還是迎難而上了，首先把設(shè)計(jì)任務(wù)搞清，不能盲目地去做，你連任務(wù)都不清楚從何做起呢，接下來(lái)就是找相關(guān)資料，

53、我每天除了上圖書(shū)館就是在網(wǎng)上找資料，然后對(duì)資料進(jìn)行整理，找資料說(shuō)起來(lái)好像很簡(jiǎn)單，但真正做起來(lái)是需要耐心的，不是你所找的就一定是有用的，所以這個(gè)過(guò)程中要花費(fèi)一些時(shí)間做看似無(wú)用功的事，其實(shí)不盡然，這其中也拓展了你的知識(shí)面。</p><p>　　通過(guò)這次課程設(shè)計(jì)我對(duì)于文檔的編排格式有了一定的掌握，這對(duì)于以后的畢業(yè)設(shè)計(jì)及工作需要都有很大的幫助，在完成課程設(shè)計(jì)的同時(shí)我也在復(fù)習(xí)一遍電力電子這門(mén)課程，把以前一些沒(méi)弄懂的問(wèn)題這次

54、弄明白了一部分，當(dāng)然沒(méi)有全部。</p><p><b>　　致 謝</b></p><p>　　在這次課程設(shè)計(jì)中，我們要感謝xx老師。xx老師親自為我們改進(jìn)的觸發(fā)電路，給了我們很大幫助。我們?nèi)绻麤](méi)有xx老師的指導(dǎo)，我們是不可能完成這個(gè)總圖的設(shè)計(jì)的。在仿真階段也遇到了不少問(wèn)題，xx老師都細(xì)心的幫我們分析，找到問(wèn)題的關(guān)鍵。除此之外，這次課程設(shè)計(jì)中，明顯感覺(jué)自己對(duì)一些基

55、礎(chǔ)知識(shí)也掌握得不牢固，以后要多向xx老師學(xué)習(xí)，善于思考問(wèn)題。</p><p><b>　　參考文獻(xiàn)</b></p><p>　　浣喜明、姚為正.電力電子技術(shù). 北京：高等教育出版社，2004</p><p>　　黃俊.半導(dǎo)體變流技術(shù).第二版.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，1980</p><p>　　莫正康.半導(dǎo)體變流技術(shù).

56、北京：機(jī)械工業(yè)出版社，1999</p><p>　　葉斌.電力電子應(yīng)用技術(shù)及裝置.北京：中國(guó)鐵道出版社，1999</p><p>　　王維平.現(xiàn)代電力電子技術(shù)及其應(yīng)用.南京.：東南大學(xué)出版社，2000</p><p>　　王兆安，黃俊.電力電子技術(shù).第四版.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2000</p><p>　　附錄一 元器件清單</p&