30850.過渡金屬摻雜mgxzn1xo單晶薄膜的外延型制備與性能研究_第1頁
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1、分類號：密級：單位代碼：10422學號：∥戶紊只SHANDONGUNIVER博士學位論文DissertationforDoctoralDegree論文題目：作者姓名生墨鶿培養(yǎng)單位專業(yè)名稱指導教師合作導師坰程學防年月日∥各～授臼一叢壚鲞一監(jiān)』4山東大學博士學位論文目錄中文摘要IAbstractV第一章緒論1第一節(jié)自旋電子學簡介11基于鐵磁金屬材料的自旋電子學22基于半導體材料的自旋電子學43自旋電子學研究的一些新領域9第二節(jié)磁性半導體12

2、1Eu的硫族化合物132過渡金屬摻雜II—vI族磁性半導體143Mn摻雜IIIV族磁性半導體144氧化物磁性半導體16第三節(jié)MgxZnlxO基本性質(zhì)及其在自旋電子學領域中的研究現(xiàn)狀一171Mg。ZnIxO材料的基本性質(zhì)l72MgxZnl囔O在自旋電子學領域中的研究現(xiàn)狀20第四節(jié)本論文的研究方法和內(nèi)容2l參考文獻24第二章樣品的制備技術和分析測試方法29第一節(jié)樣品制備技術291真空技術簡介292超高真空分子束外延技術一34第二節(jié)樣品的分析

3、測試方法371X一射線衍射(XIm)372反射式高能電子衍射(對EED)383拉曼光譜(Raman)394交變梯度磁強計(AGM)415超導量子干涉儀(SQUID)426X射線光電子能譜(XPS)一45第三章利用MgO緩沖層外延制各高質(zhì)量MgxZnl呵O單晶薄膜47第一節(jié)引言47第二節(jié)實驗細節(jié)48第三節(jié)實驗結果與討論49第四節(jié)本章小結53參考文獻55第四章Mn摻雜Mg。Zn。幔O單晶薄膜的結構、帶隙及Mn雜質(zhì)態(tài)研究57第一節(jié)引言57第二

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