已閱讀1頁，還剩73頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、采用靜電放電仿真器對集成電路進(jìn)行靜電放電模擬的測試，是目前業(yè)界最常見的做法。然而對于ESD荷電器件靜電放電仿真器而言，不同仿真器裝置之間的差異及一些ESD標(biāo)準(zhǔn)中未提及因素的影響，易造成測試裝置驗證波形與標(biāo)準(zhǔn)波形發(fā)生偏離，從而令靜電放電測試波形的可重復(fù)性及不同測試裝置測試數(shù)據(jù)的可比性不強(qiáng)，是目前在靜電放電波形研究中面臨挑戰(zhàn)。在靜電放電波形中放電峰值電流是基于荷電器件放電模式的放電測試裝置中波形驗證的關(guān)鍵指標(biāo)。本文主要針對CDM荷電器件放電
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 集成電路靜電放電（ESD）保護(hù)器件及其保護(hù)機(jī)理的研究.pdf
- 半導(dǎo)體器件與集成電路抗靜電放電（esd）
- MOS器件ESD特性研究.pdf
- 靜電放電(ESD)輻射特性的研究.pdf
- 低氣壓感應(yīng)耦合放電器件研究及模型建立.pdf
- 抗ESD SOI LIGBT器件的研究.pdf
- 基于SCR的ESD保護(hù)器件研究.pdf
- 集成抗ESD SOI nLDMOS器件研究.pdf
- 壓電器件的參數(shù)測試與驅(qū)動系統(tǒng)研究.pdf
- 荷電納濾膜電學(xué)性能及其測試條件的研究.pdf
- 組合電器局部放電模式識別與放電量的高頻信號校準(zhǔn)研究.pdf
- 集成電路新型ESD防護(hù)器件研究.pdf
- 射頻LDMOS器件結(jié)構(gòu)和ESD保護(hù)研究.pdf
- 集成電路ESD防護(hù)低壓器件的仿真研究.pdf
- RF LDMOS器件的柵極ESD保護(hù)設(shè)計與研究.pdf
- 光電器件性能參數(shù)測試系統(tǒng)設(shè)計.pdf
- 基于BCD工藝的ESD器件性能研究與優(yōu)化.pdf
- 低寄生電容ESD保護(hù)器件的研究.pdf
- 基于SCR和LDMOS的高壓ESD器件研究與設(shè)計.pdf
- ESD防護(hù)器件的電路級仿真及建模.pdf
評論
0/150
提交評論