納米晶浮柵結(jié)構(gòu)先進(jìn)存儲器的研究與模擬.pdf

1、隨著集成電路工藝的發(fā)展和器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)浮柵存儲器在器件在50nm以下工藝水平會遇到瓶頸效應(yīng)，因而不能滿足未來存儲器的發(fā)展要求。納米晶浮柵存儲器固有的分布存儲特性和納米晶上出現(xiàn)的庫侖阻塞效應(yīng)，使其可以在更薄的隧穿氧化物條件下具有長時間保持特性。由于其具有低壓、低功耗、體積小、可快速讀寫和更高的可靠性等優(yōu)良品質(zhì)，被認(rèn)為是最有希望取代傳統(tǒng)浮柵器件的新一代存儲器結(jié)構(gòu)。 本文對納米晶浮柵存儲器的發(fā)展現(xiàn)狀，基本工作原理，電荷注入機

2、制，器件存儲特性，可靠性，新型納米晶、介質(zhì)材料以及器件結(jié)構(gòu)等方面做出了研究總結(jié)。 建立了納米晶浮柵存儲器的物理模型，分別使用Athena和Atlas軟件對工藝設(shè)計和器件進(jìn)行了仿真，得出了適合的器件操作參數(shù)，證明了該模型的可操作性。 在所建立的物理模型基礎(chǔ)上，對影響器件性能的各種條件進(jìn)行了研究，通過對比仿真結(jié)果來優(yōu)化器件。主要研究和比較了不同的編程機制對器件閾值電壓窗口、數(shù)據(jù)保持特性和耐受性等方面的異同，得出了用CHE優(yōu)于