ITO基底上不同形貌納—微米ZnS的制備、表征及光學性質(zhì)研究.pdf

1、ZnS材料結(jié)構(gòu)的有序化，被認為是構(gòu)建未來納米光電器件的基礎(chǔ)，而硫化鋅結(jié)構(gòu)的形貌尺寸可控是解決這一問題的一個重要手段。納米材料形貌和尺寸可控技術(shù)，可為人們提供研究納米材料新性質(zhì)的機會，也為制備出符合預(yù)期性質(zhì)的納米材料成為可能。本論文著重為解決上述兩個問題而展開研究工作，旨在通過簡單、經(jīng)濟的手段在不同基體上制備形貌可控的ZnS，并初步研究它們的光學性質(zhì)。主要研究內(nèi)容和結(jié)論如下：
　　 采用電化學法成功制備了納米ZnS/ITO修飾電極

2、，考察了納米ZnS/ITO修飾電極制備條件，確定鍍液組成及工藝條件。紫外-可見吸收光譜研究表明ZnS粒子對400nm～350nm范圍的紫外光吸收較強，對400nm～500nm的可見光也有良好吸收。通過測試電極對甲基橙溶液的循環(huán)伏安曲線和I-T曲線，考察納米ZnS/ITO修飾電極的光電催化氧化性能，結(jié)果表明，在外加電壓0.8V，循環(huán)伏安曲線出現(xiàn)明顯的氧化峰電流，I-T曲線出現(xiàn)明顯的響應(yīng)電流，說明納米ZnS/ITO修飾電極對甲基橙溶液具有較

3、好光電催化氧化能力。
　　 采用水熱法，在脈沖電沉積納米Zn晶種的ITO基底上，制備了ZnS薄膜，通過實驗確定了脈沖電沉積納米Zn晶種、水熱法制備ZnS薄膜的最佳條件。利用XRD、SEM、EDS對ZnS薄膜結(jié)構(gòu)進行了表征，通過UV、PL研究了ZnS薄膜的光學性質(zhì)。結(jié)果表明，納米Zn晶種的存在、5-磺基水楊酸形貌控制劑的添加和濃度對ZnS薄膜顯微形貌有重大影響，0.006 mol/L5-磺基水楊酸能夠確保在納米Zn晶種上生成六方纖

4、鋅礦結(jié)構(gòu)的ZnS薄膜，薄膜組成均勻而致密，Zn：S＝1:1，光學研究表明ZnS薄膜禁帶寬度較寬5.3eV，發(fā)藍紫光。
　　 采用水熱法，在脈沖電沉積納米ZnS晶種的ITO基底上，制備了ZnS納米條，通過實驗確定了脈沖電沉積納米ZnS晶種、水熱法制備ZnS納米條的最佳條件。利用XRD、SEM、EDS對ZnS納米條形貌和結(jié)構(gòu)進行了表征，通過UV、PL研究了ZnS納米條的光學性質(zhì)。結(jié)果表明，ZnS晶種的存在、5-磺基水楊酸形貌控制劑的