不同形貌的Ⅱ-Ⅵ族納米材料的制備及光學(xué)性能研究.pdf

1、隨著集成化的發(fā)展，小尺寸的半導(dǎo)體納米材料扮演的角色越來越重要。當(dāng)材料的尺寸變小時，量子效應(yīng)使得半導(dǎo)體納米材料具有與體材料完全不同的光電及力學(xué)性質(zhì)。其中寬禁帶的Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體納米材料更是在光電子器件、太陽能電池、激光器等方面有著廣泛的應(yīng)用。本文研究了CdSe/CdTe四角狀納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)的可控合成及其光學(xué)性質(zhì)；研究了ZnSe微米球的可控制備以及多殼層ZnSe核殼結(jié)構(gòu)微米球的可控制備和光催化性能。具體研究內(nèi)容如下：
　　1.通過簡單的化

2、學(xué)方法在溶液中合成具有Ⅱ型能帶排列的CdSe/CdTe異質(zhì)節(jié)四角狀納米晶粒。高分辨透射電子顯微鏡（HRTEM）圖像表明，CdSe/CdTe異質(zhì)節(jié)是由CdTe納米棒外延生長在四角狀CdSe的四臂上而形成的，并沒有觀察到核殼異質(zhì)結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)。紫外-可見吸收光譜（UV-Vis）顯示，CdSe/CdTe異質(zhì)節(jié)四角狀納米晶粒的吸收峰相比于CdSe四角狀晶體有明顯的紅移，同時也比CdSe四角狀晶粒的吸收峰更弱、更寬。異質(zhì)結(jié)構(gòu)在室溫下的光致發(fā)光（PL）

3、強度相比于CdSe四腳狀晶體要弱，相信這是由于異質(zhì)結(jié)構(gòu)中電子和空穴的空間分離所造成的。
　　2.用化學(xué)浴沉積方法，在一定的溫度下制備了ZnSe球狀顆粒，并通過掃描電子顯微鏡（SEM）觀察了該顆粒的形貌以及大小，利用X射線衍射（XRD）研究了該顆粒的結(jié)構(gòu)與物相，用紫外－可見（UV-Vis）吸收光譜研究了其室溫的光吸收性質(zhì)。結(jié)果表明，所形成的ZnS e晶體具有立方相結(jié)構(gòu)。UV-Vis吸收光譜顯示該樣品的對紅光和近紅外光均有吸收。

4、>　　3.采用溶劑熱法在乙二醇（ EG）溶劑中，用乙二胺四乙酸（EDTA）作為輔助劑成功地合成了多殼層ZnSe核殼結(jié)構(gòu)微米球。將制備的ZnSe微球用X射線衍射（XRD），掃描電子顯微鏡（SEM），透射電子顯微鏡（TEM），X射線能譜儀（EDX），和紫外可見吸收光譜進行表征。PL光譜顯示，多殼層ZnSe核殼結(jié)構(gòu)微米球在567nm處有強烈的綠光發(fā)射峰。甲基紅光催化的結(jié)果表明，該多殼層ZnSe核殼結(jié)構(gòu)微米球具有顯著的可見光響應(yīng)型光催化劑活性。