20A-600V硅基JBS整流管的研制和一種40mA-120V垂直溝道CRD的研究.pdf

1、JBS肖特基整流管由于具有高擊穿電壓、低漏電流、低正向壓降及抗浪涌電流強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，在移動(dòng)通訊、電源及高頻大功率電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。恒流二極管（CRD）由于價(jià)格便宜、恒流性能優(yōu)良、使用方便等優(yōu)勢(shì)，是構(gòu)成各種電子設(shè)備的恒流源、保護(hù)電路的重要組成部分。近年來，隨著發(fā)光二極管（LED）產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，越來越多的使用者將JBS肖特基整流管與CRD應(yīng)用于LED供電線路中，使二者同時(shí)也得到快速發(fā)展，本論文對(duì)二者分別進(jìn)行了相應(yīng)的研究，主要開展的工作

2、如下：
　　1、設(shè)計(jì)并成功制備了一種20A/600V硅基JBS肖特基整流管。有源區(qū)采用了蜂窩狀分布結(jié)構(gòu)，邊緣采用了場限環(huán)、TEOS-BPSG、多晶硅和SiO2復(fù)合型終端結(jié)構(gòu)，經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，在正向壓降不大于1.5V的情況下，正向電流可達(dá)到20A；反向擊穿電壓(在反向漏電流不大于100μA情況下)可達(dá)到600V。并對(duì)其溫度特性進(jìn)行了研究，結(jié)果表明：隨著環(huán)境溫度的升高，器件的正向壓降不斷降低；反向擊穿電壓不斷增高，反向泄漏電流也逐漸增大

3、。
　　2、設(shè)計(jì)了一種40mA/120V硅基垂直溝道環(huán)形分布擴(kuò)散結(jié)恒流二極管。有源區(qū)設(shè)計(jì)為P+環(huán)相間分布的形式，終端采用了場限環(huán)結(jié)構(gòu)。通過Atlas數(shù)值仿真工具對(duì)恒流二極管的P+擴(kuò)散區(qū)間距、擴(kuò)散結(jié)深等參數(shù)進(jìn)行了相應(yīng)的數(shù)值模擬，并對(duì)器件的溫度特性進(jìn)行了研究。通過初步的工藝制備并測試發(fā)現(xiàn)，器件未達(dá)到預(yù)期的恒流目標(biāo)。經(jīng)過數(shù)值仿真及理論分析，發(fā)現(xiàn)造成器件性能較差的原因主要是P+擴(kuò)散區(qū)結(jié)深不夠及P+擴(kuò)散區(qū)形貌分布不佳，使得溝道長寬比不能滿足