高性能聚硒吩、聚熒蒽及聚吲哚鹵素衍生物的電合成.pdf

1、本論文采用三氟化硼乙醚體系成功地制備了高性能聚硒吩、聚熒蒽、聚5位鹵素取代吲哚(包括聚5氟吲哚、聚5氯吲哚和聚5溴吲哚)。同時對獲得的聚合物進行了表征。三氟化硼乙醚是一種中等強度的Lewis酸，它與芳香化合物單體相互作用，能有效降低單體的氧化電位，從而提高聚合物性能。主要研究內(nèi)容如下： 1、首次在三氟化硼乙醚體系中成功地制備了電導(dǎo)率為2.8×10-1Scm-1的高性能聚硒吩膜，硒吩的氧化電位在三氟化硼乙醚中比在乙腈中低0.6V。

2、制備的聚硒吩膜柔韌、致密、均一，能被切割成任意形狀。同時研究表明，硒原子對共軛聚合物鏈的骨架產(chǎn)生明顯影響使得聚合物的熱穩(wěn)定性顯著提高。 2、首次在三氟化硼乙醚溶液中進行了熒蒽單體的電化學(xué)聚合，并成功制備了高性能的聚熒蒽膜，其電導(dǎo)率約為10-2Scm-1。制備的聚熒蒽膜在濃硫酸中表現(xiàn)出較好的氧化還原活性和較高的穩(wěn)定性。聚熒蒽能部分溶解于極性有機溶劑，其溶解部分有較強的熒光。通過量化計算和1H-NMR光譜分析，表明熒蒽在三氟化硼乙醚

3、中電化學(xué)聚合時，聚合可能發(fā)生在熒蒽環(huán)的C3、C4、C13和C14位。 3、首次在三氟化硼乙醚溶液中合成了5位鹵素取代聚吲哚膜，在該體系中，5位鹵素取代吲哚的氧化電位均低于相同條件下在乙腈體系中的氧化電位，吲哚和5位鹵素取代吲哚的氧化電位變化都呈現(xiàn)出一定的規(guī)律性，即EFin＞EClin＞EBrin＞Eindole。通過紅外光譜和1H-NMR光譜分析，表明5位鹵素取代吲哚在三氟化硼乙醚中電化學(xué)聚合時，聚合發(fā)生在吲哚環(huán)的C2和C3位。